周期复盘：封测底部上扬，先进封装占比逐年走高
周期复盘∣半导体周期底部已筑，开启新一轮上升通道
半导体行业与社会经济发展关联性高，具有较强的周期性。根据SIA数据和WSTS对全球半导体销售额统计，从2021年底开始，由于疫情、地缘 政治和通货膨胀等影响，半导体进入下行周期，直至2023年底，随着消费电子逐渐复苏、算力建设投入加大，工业、汽车等赛道有望带来新的 增长点，行业底部已基本确认，将进入上升复苏通道，预计2024年将有超10%以上的同比增速。
周期监控∣封测板块可作为监测半导体周期属性的重要指标
半导体封测环节是监测半导体周期属性的重要关口：封测产业处在半导体产业链的下游，主要作用为对半导体芯片进行封装、测试与检测，属 于资本密集型和人工密集型，直接对接下游终端，因此下游应用和需求变化将直接影响封测行业的技术路线和稼动率，二者之间存在强大的联 动作用与配合机制。因此，与前道晶圆端一样，后道封测产业也是监测半导体周期的重要指标。
周期监控∣封测板块具有较强周期属性，底部已出现上扬
半导体周期底部已筑，封测板块出现上扬：根据WSTS数据，2015年至今，拟合全球半导体销售同比与A股三家封测龙头和中国台湾封测收入同 比可看出：封测销售与全球半导体销售呈现较强的一致性，因此可作为监测半导体周期属性的重要指标。2023年11月，全球半导体销售收入同 比已出现正增长为5.3%，呈现上扬趋势，可见当前半导体周期和封测周期底部已筑，预计2024年即将开启新一轮上涨。
市场占比∣“后摩尔时代”，先进封装重要性凸显，占比将于25年超过50%
“后摩尔时代”，随着集成电路工艺制程的越发先进，对技术端和成本端也均提出了巨大挑战： 技术端驱动：2015年以后，集成电路制程的发展进入了瓶颈期，7nm、5nm、3nm制程的量产进度均落后于预期。随着台积电宣布2nm制程工艺 实现突破，集成电路制程工艺已接近物理尺寸的极限，集成电路行业进入“后摩尔时代”。 成本端驱动：根据国际商务战略公司IBS调查数据显示，从22nm往后的工艺制程，每一代的总成本支出的增长率均超过50%。7nm工艺制程的总 成本约为3亿美元，5nm则更高将近5.5亿美元。对产品开发而言，产品进入到大规模量产前需多次流片验证，因此所带来的费用支出呈倍数增加。 根据TIP预测数据，全球先进封装在集成电路封测市场中所占份额将持续增加，预计2025年占整个封装市场的比重接近于50%。
竞争格局：台积电等龙头领先，国内厂商产业链完善
技术发展∣先进封装形式百花齐放：2.5D转向3D，高端封装前道厂商领先后道
半导体封装技术的演进，推动着集成电路的发展，目前传统封装已相当成熟，正经历着2.5D封装到3D封装的转换。3D集成和2.5D集成的主要区 别在于：2.5D封装是在中介层Interposer上进行布线和打孔，而3D封装是直接在芯片上打孔和布线，连接上下层芯片堆叠，相对来说，3D封装 要求更高，形式也更多样。 先进封装技术发展最明显的特征就是更精细化，因此晶圆端前道厂商技术领先后道厂商，台积电、英特尔和三星等厂商在3D封装已有突破，而 日月光、长电科技等传统封装厂商则在2.5D封装布局。
技术发展∣细化到关键技术节点，TSV/BUMP/RDL等更精细化
进一步细分到先进封装的关键技术节点，不同的封装形式有不同的判断标准。一般来说区别各家封装厂3D封装技术能力的好差标准之一是TSV Diameter、I/O Pitch、RDL-LS的精度等。 根据Yole统计，目前一般先进封装Bump I/O Pitch大约在50um左右，3D Stack Pitch约10um左右，预计到2029年将突破5um。3D高端封装里TSV Diameter W2W（Wafer to Wafer）约为1.5-2um，预计26年后最细至1um；Bond Pitch W2W约0.8-1.1um，预计26年后最细至0.5um；Wafer Thickness W2W约15-20um，预计26年后可至10um。
竞争格局∣高性能先进封装技术被全球头部封测企业掌控
高性能封装技术主要包括：超高密度扇出封装（ultra-high density fan-out，UHD FO）、2.5D interposer、3D stacked memories、 embedded Si bridge和hybrid bonding，其关键技术基本掌握在世界头部封测企业（OSAT）、先进的晶圆代工厂和IMD手中，如长电科技、日 月光、安靠、台积电（TSMC）、三星（Samsung）和英特尔（Intel）等。先进半导体封装的参与者非常多，其解决方案涵盖（超）高密度扇出（有机中介层）、3D片芯堆叠、2.5D硅中介层、2.5D嵌入式硅桥、3D堆叠 存储器等几大类。龙头代工厂及其解决方案当然还是台积电（InFO，集成扇出）、日月光（FOCoS，芯片后装的基板上扇出芯片）、三星 （2.5D RDL（再分布层））、Amkor Technology（S-SWIFT，高密度扇出线）等。
国产替代∣国内半导体头部大厂布局发力先进封装
长电科技 XDFOI技术：公司XDFOI技术为2.5D超高密扇出型封装，可将不同的弄能器件整合在系统封装内，对集成度和算力有较高要求的超算领 域，如FPGA、CPU、GPU、AI和5G网络芯片等方面应用较多，将推动信息技术的高速发展。
通富微电 VISionS技术：公司VISionS为基于超算的2.5D/3D先进封装技术，可实现多层布线技术开发，将不同工艺不同功能的Chiplet芯片进行 高密度集成，可为客户提供晶圆级和基板级封装解决方案。在HBM等存储方向布局，已完成堆叠NANDFlash和LPDDR封装的量产，其3D存储封装技 术国内领先。
华天科技 3D Matrix技术：公司3D Matrix技术集成了TSV、eSiFo（Fan-out）、3D SIP等三大先进封装技术，是Chiplet高度集成的重要技术之 一。TSV、eSiFo、3D SiP三大基础技术，均为公司特色工艺，其中Fan-out技术为硅/基板上刻蚀挖槽，将芯片正放置凹槽内，在芯片表面与硅/ 基板表面形成扇出连接，再进行RDL布线与封装。
长江存储 Xtacking技术：与传统并列式架构和CuA（CMOS under Array）架构不同，公司晶栈Xtacking 3D NAND架构可实现的金属通道连接达 数十亿根。芯片堆叠层数增加的同时，能够带来存储容量的扩大，可大大提升芯片性能。
驱动端：BIS抵制&海外厂扩产倒逼国内先进封装发展
美国制裁∣美国BIS制裁&华为荣耀陆续申请封装专利，重要性不言而喻
美国BIS制裁剑指先进封装：2023年10月17日，美国商务部工业和安全局（BIS）公布新的先进计算芯片、半导体制造设备出口管制规则，意在 限制中国发展高端芯片的能力，并将于11月16日正式生效。11月21日，美国宣布了国家先进封装制造计划 (NAPMP)项目，投资方向包括：材料 和载板，设备、工具和流程，电力传输和热管理，硅光通信和连接器，Chiplet 生态系统，测试、可靠性、安全性方面的Chiplet共同开发。 此举将在后道封装端抑制中国大陆发展高端高性能芯片，尤其是先进封装领域。
资本开支∣美韩台等头部封测企业在资本开支和高端封装技术上保持领先
英特尔/台积电/三星等头部大厂封装资本开支排名靠前：介于下游行情复苏缓慢，叠加地缘政治等因素，2023年各大封装公司对资本支出持谨 慎态度。根据Yole统计，2023年全球前九名封装资本支出预计将为120亿美元，分别为Inter/TSMC/Samsung/ASE/Amkor/TFME/JCET/Tianshui Huatian/PTI，整体支出较上一年下降17%，其中中国大陆封测三强通富微电/长电科技/华天科技分别排6/7/8名。 HBM高端先进封装领域三星/美光/海力士保持领先：根据Yole预测，到2024年底，HBM3+封装将采用混合键合技术堆叠16个芯片，预计2025年初 铠侠将发布采用混合键合技术的3D NAND堆栈存储器，此后不久，美光、SK海力士和三星随后加入进程。
大厂扩产∣AI带动CoWoS、HBM及Chiplet等先进封装扩产潮
台积电不断增加CoWoS产能：当前AI芯片异常火爆，将推动CoWoS先进封装需求激增。根据台湾经济日报，此前英伟达已在23年10月加大订单， 苹果、AMD、博通、Marvell等国际头部客户同时大幅追单。台积电为应对上述五大客户需求，不断加快CoWoS先进封装产能扩充，预计24年月 产能将比原目标再增加约20%达3.5万片。 三星扩HBM产能：当前DRAM芯片销量回暖，三星电子为了扩大HBM产能，收购三星显示（Samsung Display）天安厂区内部分建筑及设备用于HBM 生产。此外三星预计追加投资7000亿-1万亿韩元，可见三星对扩大HBM产能的决心。 SK海力士投资升级HBM的TSV先进封装技术：据韩国经济日报及BusinessKorea消息，全球第二大内存芯片厂商SK海力士预计AI将带动行业需求 好转，2024年将预留约10万亿韩元（约合76亿美元）的DRAM设施资本支出，其用途主要在：一是为高附加值DRAM芯片扩建设施，包括HBM3、 DDR5及LPDDR5；二是升级HBM的TSV（硅通孔）先进封装技术。
TSV供应链∣TSV、RDL等先进封装技术均对设备和材料提出较高要求
先进封装的关键技术TSV：TSV（Through-Silicon Via ，硅穿孔）技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联。 TSV可以替代WB和FC技术，是芯片小型化的必经之路，是目前唯一的垂直电互联技术，是实现3D先进封装的关键技术之一。 制备TSV技术的设备和材料将受益：TSV技术制备的核心关键步骤主要为从先把硅通孔形成（即孔刻蚀），然后沉积绝缘层或阻挡层，接着生成 铜晶种沉积，最后进行电镀，因此制备TSV技术涉及的半导体封装设备和材料领域包括光刻机、涂胶显影、刻蚀设备、清洗设备、键合设备、 CMP等。
国产替代：产业链国产化率偏低，设备&材料前景广阔
封装设备∣半导体封装设备国产化率整体偏低，国产替代空间广阔
半导体封装设备市场规模稳步增长：半导体封装设备市场下游主要为封装测试企业、部分晶圆制造企业和芯片设计企业，其中以封装测试企业 为主。根据SEMI数据，除2019-2020年受中美关系摩擦影响出现短期波动，全球半导体封装设备市场规模整体呈稳步增长态势，其中2022年市 场规模约为78亿美元。
封装设备∣国内先进封装设备链全面发展
封装设备分别有固晶机、键合机、曝光机、点胶机、划片机、测试机、分选机、探针台等，国际厂商如DISCO在划片机、减薄机等领域占据大 部分份额，K&S在贴片机、键合机等领域占据主导地位。随着国内封测代工三强进入全球前十，推动国内半导体封装设备的发展，如光力科技， 在划片机领域处于国内龙头地位。随着先进封装占比逐渐走高，国内半导体封装设备将不断受益。
封装材料∣国内封装材料企业细分方向多点开花
半导体封装材料种类繁多，中高端正突破：半导体封装材料主要有ABF载板、环氧树脂、电子化学品、掩膜版、封装胶带等，当前AI需求爆发， 高性能运算是封装材料发展的主驱动力。从竞争格局来看，半导体封装材料领域，美国和日本基本主导着整个材料市场，如味之素、杜邦、 JSR、住友化学等。国内厂商起步较晚，需要长期的技术积累和产业协作开发，目前正向中高端迈进。
报告节选：
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
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