2024存储行业：SK海力士复盘与市场展望

发展历程：“危机下企业的顽强生命力”，谱写存储行业领导者成长史

不同时期的企业生存策略，谱写出SK海力士“克服危机的成长史”。SK海力士成立于1983年，历经40年间不断克服危机，通过快速追随者策略、紧缩开支策略、积极投资策略，从“市场竞争失败者”一跃成为全球第二大DRAM厂商和第三大NAND厂商；得益于对研发投入的积极投资，SK海力士也在HBM领域突破并成功抢占新兴市场份额，打造新的技术壁垒护城河。

SK海力士的DRAM、NAND营收约占总营收比重的93%，其中DRAM营收占比超6成。SK海力士作为全球存储芯片行业龙头之一，DRAM和NAND业务贡献了SK海力士约93%的收入。近十年来，公司DRAM产品收入占比为63%~80%，呈现先上升后下降趋势，由超过七成升至八成再降至接近六成；NAND占比18%~32%，呈现小幅上下波动，总体稳定在近三成左右。除DRAM与NAND外，近十年来，公司CIS业务营收占比2%~7%，呈稳步上升趋势。据SK海力士官网，CY2023年，SK海力士来自DRAM和NAND的营收额分别达到159亿美元、74亿美元，占总营收比重分别为63%、29%。●SK海力士营收随DRAM行业周期波动，具有较强的周期性，近两年营收同比增速跌破零点。半导体存储芯片具有强周期性，SK海力士营收亦呈现出周期性特征，且与DRAM行业周期趋势相似。据CFM闪存市场数据，全球DRAM市场规模于2021年出现超40%增速，2022和2023年持续受终端市场需求疲软影响，全球DRAM市场规模分别同比下降16.7%/36.1%；据SK海力士官网，CY2021-2023年公司营收同比+39.1%/-8.0%/-27.4%，近两年同比增速跌破零点。●CY24Q1业绩：DRAM/NAND价格分别环比上涨20%/30+%，受益上行周期市场价格持续回暖，Q1季度营收环比+10%。据SK海力士24Q1业绩说明会，CY24Q1季度营收12.43万亿韩元(约合93.6亿美元)，同比+144%/环比+10%。按产品划分来看，DRAM单季营收7.58万亿韩元(收入占比61%)，环比+3.2%，位元出货量环比下滑10%，主要系传统DRAM销售季节性影响，ASP环比增长20%；NAND单季营收4.35万亿韩元(收入占比35%)，环比+32.7%，出货量环比持平，ASP环比增长超30%。

营收表现：预计24年DRAM/NAND终端需求同比+20%，AI融合加速市场需求

HBM研发量产助力Graphics下游应用的营收增长，CAGR超20%；24Q2预计HBM和eSSD出货量将增加，带动DRAM/ NAND位元出货量分别环比+10%/持平。据SK hynix各季度业绩说明会，经测算，1)DRAM业务：近三年Server营收占比最大，约占40%左右的份额，Graphics营收增速最高，CAGR为23.1%；2)NAND业务：Mobile营收占比最高，占比近5成。据SK海力士24Q1业绩说明会，预计24Q2DRAM位元出货量环比增长约10%，并将增加HBM3E出货量；NAND位元出货量环比持平，eSSD出货量增加带动市场需求改善，为其他产品储备库存，直至看到更明确的终端需求复苏。●AI融合使产品应用前景广泛，预计24年DRAM及NAND终端市场需求同比增长近20%，存储市场正进入全面复苏期，预计24H2后传统应用的需求也会改善。据SK海力士23Q4业绩说明会数据，预计2024年DRAM及NAND终端市场需求同比各增长近20%，PC及Mobile端出货量将同比各增加约5%，Server端出货量将有所恢复。SK海力士在24Q1业绩说明会上表示，1)PC市场：24H1相对疲软，企业级需求有望持续带动24H2需求复苏，Win10系统换代和AI PC有望驱动换机需求和单机容量增长；2)智能手机市场：除部分配置AI功能的旗舰机型外，需求仍然疲软，预计AI手机新品发布将刺激24H2换机需求并带动单机容量增长。3)服务器市场：经历17-18年投资潮后，服务器将再迎来换代需求，高密度eSSD在AI服务器获得广泛采用。

盈利能力：24Q1盈利能力全面提升，净利润扭亏为盈，净利率回升至近15%

净利率呈周期性波动，2018年达到峰值38.4%，2023年毛利率近十年首次跌破零点。据SK海力士官网数据，净利润近十年呈现周期性波动，每2年左右呈相反趋势；2018年达到峰值，净利率/毛利率分别为+38.4%/+62.4%，随后出现大幅回落，跌幅超30%；2023年出现大幅亏损，净利率/毛利率分别为-27.9%/-1.6%，当年毛利率近十年首次跌破零点。●2023年逐季度盈利能力有所改善，毛利润扭亏为盈，净利率由小于-50%转为接近-10%。据SK海力士2023年各季度业绩说明会数据，2023Q1-Q4净利率分别为-50.9%/-40.9%/-24.1%/-12.2%，经测算，毛利润分别为-12.95/-8.97/+0.46/+16.87亿美元，扭亏为盈。受AI存储类产品销量增长、成本有效削减等因素，2023年逐季度盈利能力有所改善。●2024年延续谨慎支出策略，最小限度增加资本支出并提升投资效率，聚焦盈利水平。据SK海力士23Q4业绩说明会，2024年将继续增大资本支出，但将控制在最小限度内且聚焦投资效率及回报率，总体上保持谨慎支出策略。●CY24Q1季度实现毛利率为39%，同比+70pct/环比+19pct，净利率为15%，同比+66pct/环比+27pct，净利率由负转正。据SK海力士24Q1业绩说明会，CY24Q1季度毛利率为39%，同比+71pct/环比+19pct，季度净利率为15%，同比+66pct/环比+27pct。

2024Q1库存周转天数161天，同比下降51天，环比增加20天，当前库存稳定去化。据SKhynix官网数据，自2023年起，公司库存周转天数呈现出逐季下降趋势；经测算，2023Q1库存周转天数达到峰值，约213天，2023Q2-Q4库存周转天数环比分别减少约32天/25天/15天；2024Q1库存周转天数为161天，环比增加20天，同比下降51天。●2023年公司存货金额逐季下降，2024Q1存货金额为104.20亿美元，同比下降22.7%，环比增长2.2%。据SKhynix官网数据，2023年公司存货金额呈现逐季下降趋势，2023Q1存货金额达最高点，约134.81亿美元，2023Q2-Q4增速跌破零点，分别为-7.4%/-8.7%/-10.5%；2024Q1公司存货金额为104.20亿美元，同比下降22.7%，环比增长2.2%。●2023年总体上DRAM销量增大，并维续NAND保守生产策略。据SKhynix业绩说明会消息，2023年公司生产策略符合公司计划预期；面向激增的AI类产品需求，DRAM尤其是DDR5、HBM3等高端产品的销量增大，为应对NAND下游市场需求不旺等挑战，维续NAND保守生产策略，并减少利润率较低产品的销售量。●2024年全面量产HBM3E，预计DRAM及NAND库存将分别于上、下半年恢复稳定。据韩国媒体Pulse报道，公司将扩大对高带宽内存生产的设施投资，以满足对高性能产品不断增长的需求，公司计划将TSV产能提高一倍以实现HBM3E的大规模量产。此外，公司将继续坚持保守生产的立场直至2024年实现库存正常化，预计DRAM将在上半年稳定，NAND闪存将在下半年稳定。

3、SK海力士未来展望：预计24年Capex同比略增，AI贡献存储新动能

大幅削减资本开支，2023年公司资本支出为63.76亿美元，同比降低超50%。据SKhynix官网数据，2023年全年资本支出为8.3万亿韩元（经测算，折合约63.76亿美元），同比下降56.7%。2023全年资本支出具有如下特征：第一，维持对DDR5、LPDDR5、HBM3等新产品推广的关键投资，以及基础设施及研发投资，为未来增长做好准备；第二，最大化设备效率，注重投资效率及回报率；第三，减少传统和低利润产品的晶圆开工量，DRAM/NAND晶圆产量同比下降。●SK海力士预计24年资本支出将高于此前计划，TrendForce预估到24年SK海力士HBM(含TSV)总产能将达12~12.5万片/月。据SK海力士在24Q1业绩说明会上表示，预计24年资本支出将高于此前的原计划，此次加大投资是根据客户需求的增长趋势而决定，HBM和普通DRAM的供应也将根据市场需求逐渐提升。由于2023年的保守投资，SK海力士预计2024年的DRAM/NAND产量增长有限，主要提高更大芯片尺寸的HBM的生产。据TrendForce数据，SK海力士HBM(含TSV)总产能在2023年底约4.5万片/月，预计到2024年底将达约12~12.5万片/月。

SK海力士计划投资：1)M15X作为DRAM新产线，目标2025年底投产；2)计划2024年TSV产能翻倍；3)投资38.7亿美元在美国印第安纳州建设内存封装产线，计划从2028年开始量产包括HBM在内的下一代AI内存产品。2024年4月24日，SK海力士已宣布将韩国清州的M15X厂定为DRAM生产基地并加速建设，并且将顺利推进龙仁半导体集群和美国印第安纳州先进封装工厂等中长期投资项目。1)SK海力士计划投资约5.3万亿韩元建设M15X晶圆厂，预计2025年底投产，其与正在扩充TSV生产能力的M15厂相邻，可进一步优化HBM生产，总投资长期将超过20万亿韩元。2)龙仁工厂则计划于2027年5月开业。3)计划建设美国印第安纳州西拉斐特的PKG工厂(用于生产HBM)，总投资38.7亿美元，预计将于2028年投产。

24Q2指引：DRAM位元出货量预计环比增加10%左右，HBM3E出货提升；NAND位元出货量环比持平，eSSD销售额预计增加。据SK海力士24Q1业绩说明会，展望24Q2季度，DRAM比特出货量预计将环比增长10%，得益于用于NAND的HBM3E产品的销售额增加。虽然由于需求强劲，eSSD的销售额预计将增加，但整体NAND位元增长预计将环比持平。●成功开发全球最高规格HBM3E并于24H1投入量产，预计HBM4将提前至2026年量产。据SKhynix官网，公司成功开发出面向AI的HBM3E产品，并于24H1投入量产。2024年3月，SK海力士1bnmHBM3E开始量产供货，根据客户需求增加HBM3E供应以扩大客户群，并将与台积电合作研发HBM4及开发下一代封装技术。2024年5月2日，SK海力士宣布预计HBM4量产时间将从2026年提前至2025年。SK海力士24Q1业绩会上表示，预计2024年HBM销售累计收入将达到100亿美元左右，SK海力士今年和明年的HBM产能已售空，HBM领域市场需求正持续增长。公司将以业界最大规模的HBM量产经验为基础，扩大供应满足多样化市场需求并加速业绩反弹，有望继HBM3后持续在用于AI的存储器市场保持独一无二的地位。

238层4DNAND闪存实现量产，成功发布321层4DNAND样品。据SKhynix官网消息，公司已实现238层4DNAND闪存量产，并正与全球智能手机客户公司进行验证，希望以业界最高层及超小型产品确保最高水平的成本及品质竞争力，同时公司已在2023年闪存峰会首次发布321层4DNAND样品，并提供了包括PCIeGen5及UFS4.0相关的新一代NAND解决方案，正式成为业界首家开发300层以上NAND闪存的公司。此外，公司计划扩展包括256GB在内的高密度DDR5产品，以及高性能移动解决方案LPDDR5T。

二、半导体风向标：存储市场近况及预判

需求端：从下游应用市场来看，由Mobile、PC和服务器作为主要下游应用，分别在NAND/DRAM应用占比超75%/85%，其中DRAM市场服务器的应用占比超37%。NANDFlash和DRAM广泛应用于手机、平板、PC、数据中心、汽车电子、视频监控、智能家居等等市场。根据TrendForce数据，2023年，NANDFlash主要以mobile、PC和服务器为主，分别占比32.7%、24.5%和18.6%，三者合计占比超75%；DRAM的主要应用市场也在mobile、PC和服务器，分别占比36.7%、12.5%和37.2%，三者合计占比超85%。●供给端：从上游供应商来看，由海外龙头高度垄断，目前全球NANDFlash市场以三星、SK海力士(含收购自Intel的Solidigm)、Kioxia(含WesternDigital)、美光、西部数据5家厂商为主，全球DRAM市场由三星、SK海力士、美光三分天下。从市场竞争格局来看，根据TrendForce数据，2023年4季度NANDFlash市场上三星占比达37%，SK海力士占比达22%，西部数据占比达15%，Kioxia占比达13%，美光占比达10%，分别排名第一、第二、第三、第四、第五。2023年4季度DRAM市场上三星占比达46%，SK海力士占比达32%，美光占比达19%，分别排名第一、第二、第三。

原厂减产策略：各原厂23年大幅度减产及降低投资减少，有效改善目前供给大于需求的现状，预计24年NAND/DRAM设备资本开支增长21%/3%。考虑到下游客户去库存及自身存货水平处于高位，自22Q3以来，三星、SK海力士、美光等全球主要存储晶圆厂商均已宣布减小产量或缩减资本开支，且降幅显著。根据SEMI数据，2023年全球存储相关资本支出出现最大降幅，2024年有望恢复增长。其中，2024年NAND设备市场规模有望增长21%达到107亿美元，2025年增速可望大幅提高至51%，市场规模有望达到162亿美元；DRAM设备市场则相对稳定，2024年有望小幅增长3%，同时受惠于制程微缩和HBM需求增长，2025年DRAM设备销售额或达到155亿美元，同比增长20%。

据IDC预计，2026年全球AI服务器市场规模将达347亿美元(2022-2026年CAGR达17.3%)，2027年中国AI服务器市场规模将达134亿美元(2022-2027年CAGR达21.8%)。根据IDC数据，全球人工智能硬件市场(服务器)规模将从2022年的195亿美元增长到2026年的347亿美元，CAGR达17.3%；据IDC预计，2023年中国AI服务器市场规模将达到91亿美元，同比增长82.5%，2027年将达到134亿美元，5年CAGR达21.8%。据IDC预测数据，2024年全球AI服务器市场规模将达286亿元，同比增长15.6%，2024年中国AI服务器市场规模将达72亿美元，同比下降20.9%。●OpenAI发布全新旗舰AI模型GPT-4o并将推出桌面版ChatGPT，英伟达发布最新一代AI芯片GB200，微软公开自研芯片AzureCobalt预览版，AI浪潮再次席卷而至。①2024年5月14日，OpenAI春季发布会上公布全新旗舰AI模型GPT-4o，将向所有用户免费开放，支持任何文本/音频/图像的输入和直接生成、语音延迟可降低至232ms(与对话中人类的响应时间相似)等功能均有升级；同时相比于GPT-4Turbo，GPT-4oAPI的价格降低了50%，而速度快2倍。

此次发布会上，OpenAI还宣布将推出桌面版ChatGPT。②2024年3月19日，英伟达GTC2024大会上发布基于新一代Blackwell架构的全球最强AI芯片GB200以及GB200NVL72液冷机架系统，性能较H100TensorCoreGPU相比提升高达30倍。英伟达表示，GB200预计将于2024年开始发货。③2024年5月22日，MicrosoftBuild2024开发者大会上宣布，GPT-4o在AzureAI上普遍可用，微软将成为首批提供英伟达BlackwellGPU的平台，并公开预览其自研芯片定制CPUAzureCobalt，性能最高提升40%

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