公司深硅刻蚀产品主要应用DRIE深反应离子刻蚀技术
数据来源：LAMRESEARCH，东吴证券研究所
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- 公司产品主要涵盖沉积、刻蚀、清洗三大市场
数据来源：LAMRESEARCH，东吴证券研究所2024-08-15 - Lam研发费用处于业内较高水平（亿美元）
数据来源：Wind，LAMRESEARCH，东吴证券研究所2024-08-15 - 中国大陆收入占比自23年底快速回升
数据来源：LAMRESEARCH，东吴证券研究所2024-08-15 - 存储业务相较于去年同期占比显著增加
数据来源：LAMRESEARCH，东吴证券研究所2024-08-15 - Lam2024年营业收入显著回暖
数据来源：Wind，LAMRESEARCH，东吴证券研究所2024-08-15 - 公司清洗设备已成功覆盖单片清洗和槽式清洗设备
数据来源：北方华创官网，东吴证券研究所2024-08-15 - 公司积极布局CVD、ALD沉积设备，已具备完整产品线
数据来源：北方华创官网，东吴证券研究所2024-08-15 - 公司是国内ICP刻蚀设备龙头企业
数据来源：北方华创官网，东吴证券研究所2024-08-15 - 2022年北方华创所有核心设备工艺覆盖度超过60%，核心拳头产品优势明显
数据来源：Wind，北方华创官网，东吴证券研究所2024-08-15 - 其他出资方出资结构（亿元）
数据来源：爱企查，东吴证券研究所2024-08-15 - 大基金三期募资结构（亿元）
数据来源：爱企查，东吴证券研究所2024-08-15 - 2023年半导体设备环节国产化率情况
数据来源：Wind，SEMI，Gartner，东吴证券研究所2024-08-15 - 3DNAND中沉积设备价量比重上升
数据来源：TokyoElectron，中微公司招股书，东吴证券研究所2024-08-15 - 不同制程芯片产线沉积设备需求量（台/万片）
数据来源：中微公司招股书，东吴证券研究所2024-08-15 - 5nm先进制程逻辑器件大约需要160次刻蚀
数据来源：中微公司招股书，东吴证券研究所2024-08-15 - 刻蚀是TSV工艺最大成本部分
数据来源：IME，东吴证券研究所2024-08-15 - TSV工艺是HBM最大成本部分
数据来源：IME，东吴证券研究所2024-08-15 - 2021年底中国大陆晶圆产能全球占比仅16%
数据来源：SEMI，东吴证券研究所2024-08-15 - 中国大陆引领未来三年全球半导体设备CAPEX
数据来源：SEMI，东吴证券研究所2024-08-15 - 湿法清洗是公司主要的清洗设备技术
数据来源：LAMRESEARCH，Gartner，东吴证券研究所2024-08-15 - 2021年公司CVD市场占有率第二
数据来源：Gartner，东吴证券研究所2024-08-15 - 公司ECD薄膜沉积设备系列齐全，铜沉积是主要沉积对象
数据来源：LAMRESEARCH，东吴证券研究所2024-08-15 - 公司ALD薄膜沉积主要产品包括ALTUS系列、STRIKER系列
数据来源：LAMRESEARCH，东吴证券研究所2024-08-15 - 公司CVD薄膜沉积主要产品包括Reliant系列、SPEED系列、VECTOR系列
数据来源：LAMRESEARCH，东吴证券研究所2024-08-15 - 公司金属导体刻蚀产品主要应用RIE反应离子刻蚀技术和PBE等离子斜面刻蚀技术
数据来源：LAMRESEARCH，东吴证券研究所2024-08-15 - 公司介质刻蚀产品主要应用RIE反应离子刻蚀技术和ALE原子层刻蚀技术
数据来源：LAMRESEARCH，东吴证券研究所2024-08-15 - Lam长期保持高研发费用
数据来源：Wind，LAMRESEARCH，东吴证券研究所2024-08-15 - Lam2024年净利润大幅拉升
数据来源：Wind，LAMRESEARCH，东吴证券研究所2024-08-15 - 欧美对中国半导体设备管制政策
数据来源：METI，BIS，东吴证券研究所2024-08-15 - 2021年全球清洗设备竞争格局
数据来源：LAMRESEARCH，Gartner，东吴证券研究所2024-08-15 - 2021年公司ALD市场份额仅为9%
数据来源：Gartner，东吴证券研究所2024-08-15 - 2021年LAM全球刻蚀设备市占率第一
数据来源：Gartner，东吴证券研究所2024-08-15 - 根据工作原理不同，刻蚀机主要分为CCP和ICP两种设备路线
数据来源：中微公司招股书，立鼎产业研究院，东吴证券研究所2024-08-15
图表属性
- 数据类型：其他
- 行业分类：工业制造
- 发布日期：2024-08-15
- 文件格式：PNG、XLSX