执业证书编号:S0740621120001中泰证券研究所专业1领先1深度1诚信
按照RAM和CPU的时钟频率是否同步,DRAM可分为同步DRAM(SynchronousDRAM,简称SDRAM)和异步DRAM.SDRAM目前已迭代了六代,分别是SDR(SingleDataRateSDRAM)、DDR1(DoubleDataRate1SDRAM)、DDR2、DDR3、DDR4.DDR5。每次迭t,芯片性能显著提升。E前DRAME流是DDR4,2021年占90%,DDR-DDR3合计占比10%
大陆目前发力利基，重点关注。兆易创新21年量产19nm4GbDDR4,22年9月兆易创新发布17nm2Gb/4GbDDR3,北京君正(ISSI)目前在大陆利基DRAM领域料号数量最为全面、营收体量最大,DRAM中出货量最大的是DDR3,东芯股份在DDR3方面有所布局。利基DRAM:SpecialtyDRAM,按照Dramexchange现在的划分,包括DDR2、DDR3及部分DDR4颗粒。主流DRAM:CommodityDRAM,代表产品包括8Gb以上的DDR4DDR5颗粒和DDR4,DDR5模组。大陆目前发力利基，重点关注。兆易创新21年量产19nm4GbDDR4,22年9月兆易创新发布17nm2Gb/4GbDDR3,北京君正(ISSI)目前在大陆利基DRAM领域料号数量最为全面、营收体量最大,DRAM中出货量最大的是DDR3,东芯股份在DDR3方面有所布局。利基DRAM:SpecialtyDRAM,按照Dramexchange现在的划分,包括DDR2、DDR3及部分DDR4颗粒。主流DRAM:CommodityDRAM,代表产品包括8Gb以上的DDR4DDR5颗粒和DDR4,DDR5模组。大陆目前发力利基，重点关注。兆易创新21年量产19nm4GbDDR4,22年9月兆易创新发布17nm2Gb/4GbDDR3,北京君正(ISSI)目前在大陆利基DRAM领域料号数量最为全面、营收体量最大,DRAM中出货量最大的是DDR3,东芯股份在DDR3方面有所布局。利基DRAM:SpecialtyDRAM,按照Dramexchange现在的划分,包括DDR2、DDR3及部分DDR4颗粒。主流DRAM:CommodityDRAM,代表产品包括8Gb以上的DDR4DDR5颗粒和DDR4,DDR5模组。
9明主流合约价全部止跌,DDR32Gb芯片首次上涨,环比上涨2%。>1)主流DRAM:9月DRAM全线跌,DDR2合约价连续三个月止跌,DDR4和DDR5环比止跌,DDR32Gb上涨2%>2)利基DRAM:9月DDR32Gb芯片首次上涨,环比上涨2%,环比止跌,价格稳住。9明主流合约价全部止跌,DDR32Gb芯片首次上涨,环比上涨2%。>1)主流DRAM:9月DRAM全线跌,DDR2合约价连续三个月止跌,DDR4和DDR5环比止跌,DDR32Gb上涨2%>2)利基DRAM:9月DDR32Gb芯片首次上涨,环比上涨2%,环比止跌,价格稳住。
截至9月30日,现货价全部转涨，月涨幅0-7%。>1)主流DRAM:9月DDR4,DDR5全部由跌转,涨幅0%-4%>2)利基DRAM:9月利基现货价全部首次上涨,涨幅6%-7%
1)合约价:9月,DDR48Gb(1Gx8)的价格为$1.30,同比-54.39%,环比0%,价格自从2021年9月的$4.1开始一路下跌,目前停止下跌并处历史低位;9月,DDR416Gb(2Gx8)的价格为$2.73,同比-53.17%,环比0%停止下跌,价格从2021年9月的$8.45开始下跌,目前处于历史低位。2)现货价:截至9月30日,DDR48Gb(1Gx8)2666Mbps的价格为$1.5,在8月达到历史最低价$1.45后,9月首次上涨,环比上涨3,45%,近一周价格维稳环比0%;DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps的价格为$2.78,本月月内环比0.36%,目前仍处于历史最低价，近一周环比0.36%，价格持稳。
合约价:9月,DDR48GbU-DIMM的合约价格为$12.40,同比-50%,环比0%,价格从2021年9月的$34.80开始下跌,目前已处于历史最低价;DDR416GbU-DIMM的合约价格为$23.80,同比-51.03%,环比0%,价格为历史最低点。
主流:合约价全部止跌,现货价上涨DDR5芯片:9月现货价首次上涨,环比上涨4.22%,合约价环比0%，价格维稳。>1)合约价:9月DDR516Gb(2Gx8)的合约价为$3.40,同比-51.15%,环比0%;价格从20222月价格开始下降开始,在2023年7月达到历史最低价,在8月价格首次上涨之后,目前价格持稳。>2)现货价:截至9月30日,9月DDR516Gb(2Gx8)的现货价为$4.13,近几月首次上涨,环比上涨4.22%，近一周环比上涨0.66%。DDR5芯片:9月现货价首次上涨,环比上涨4.22%,合约价环比0%，价格维稳。>1)合约价:9月DDR516Gb(2Gx8)的合约价为$3.40,同比-51.15%,环比0%;价格从20222月价格开始下降开始,在2023年7月达到历史最低价,在8月价格首次上涨之后,目前价格持稳。>2)现货价:截至9月30日,9月DDR516Gb(2Gx8)的现货价为$4.13,近几月首次上涨,环比上涨4.22%，近一周环比上涨0.66%。DDR5芯片:9月现货价首次上涨,环比上涨4.22%,合约价环比0%，价格维稳。>1)合约价:9月DDR516Gb(2Gx8)的合约价为$3.40,同比-51.15%,环比0%;价格从20222月价格开始下降开始,在2023年7月达到历史最低价,在8月价格首次上涨之后,目前价格持稳。>2)现货价:截至9月30日,9月DDR516Gb(2Gx8)的现货价为$4.13,近几月首次上涨,环比上涨4.22%，近一周环比上涨0.66%。注:U-DIMM定位桌面电脑市场,SO-DIMM定位笔电市场,两种模组的价格相同,此处选取U-DIMM价格;模组主要用于服务器,服务器DRAM主要是在合约市场进行交易,现货市场占比小,没纳入
DDR5模组:9月模组合约价继7月首次上涨后一直持稳,环比0%。合约价:9月DDR516GBU-DIMM价格$29.6,同比-53%,环0%;DDR58GBU-DIMM价格$15.3,同比-53%,环0%;价格继7月首次上涨后,目前价格稳住。注:U-DIM定位桌面电脑市场,SO-DIMM定位笔电市场,两种模组的价格相同,此处选取U-DIMM价格;模组主要用于服务器,服务器DRAM主要是在合约市场进行交易,现货市场占比小,没纳入
1)合约价:8月DDR48Gb(512Mx16)的合约价为$1.55,同比-51.56%,环比0%,9月$1.55,同比-48.33%,环比0%;8月,DDR44Gb(256Mx16)的合约价$1.02,同比-49%,环比0%,9月$1.02,同比-45.16%,环比0%。>2)现货价:截至9月30日,DDR48Gb(512Mx16)2666Mbps的现货价为$1.54,近期首次上涨,月内环比上涨5.62%,近一周价格下跌0.52%;DDR44Gb(256Mx16)2400/2666Mbps的现货价为$1.02,在8月28日创历史最低价$0.95后,本月价格首次上涨，月内上涨7.16%,近一周环比上涨0.79%。1)合约价:8月DDR48Gb(512Mx16)的合约价为$1.55,同比-51.56%,环比0%,9月$1.55,同比-48.33%,环比0%;8月,DDR44Gb(256Mx16)的合约价$1.02,同比-49%,环比0%,9月$1.02,同比-45.16%,环比0%。>2)现货价:截至9月30日,DDR48Gb(512Mx16)2666Mbps的现货价为$1.54,近期首次上涨,月内环比上涨5.62%,近一周价格下跌0.52%;DDR44Gb(256Mx16)2400/2666Mbps的现货价为$1.02,在8月28日创历史最低价$0.95后,本月价格首次上涨，月内上涨7.16%,近一周环比上涨0.79%。DDR48Gb(512Mx16)2666MbpsDDR44Gb(256Mx16)2400/2666Mbps
1)价:DDR34Gb(256Mx16)的9月合约价$1.02,与8月一致,价格止跌,为历史最低价,同比-50.24%;DDR32Gb(128Mx16)的9月合约价$0.97,从2022年一路下跌开始,今年9月首次上涨,同比-48.4%,环比2.11%,其历史最低为2019年12月的$0.92;DDR31Gb(64Mx16)的9月合约价$0.82,同8月一致,同比-38.81%,环比0%,已达历史最低价。>2)现货价:截9月30日,DDR34Gb(256Mx16)1600/1866Mbps的现货价为$1.00,首次上涨,九月环比上涨5.96%,近一周跌幅0.4%;8月21日,DDR32Gb(128Mx16)1600/1866Mbps的现货价为$0.92,继8月达到历史最低价后$0.87,本月环比上涨5.52%,近-周环比上涨3.15%1)价:DDR34Gb(256Mx16)的9月合约价$1.02,与8月一致,价格止跌,为历史最低价,同比-50.24%;DDR32Gb(128Mx16)的9月合约价$0.97,从2022年一路下跌开始,今年9月首次上涨,同比-48.4%,环比2.11%,其历史最低为2019年12月的$0.92;DDR31Gb(64Mx16)的9月合约价$0.82,同8月一致,同比-38.81%,环比0%,已达历史最低价。>2)现货价:截9月30日,DDR34Gb(256Mx16)1600/1866Mbps的现货价为$1.00,首次上涨,九月环比上涨5.96%,近一周跌幅0.4%;8月21日,DDR32Gb(128Mx16)1600/1866Mbps的现货价为$0.92,继8月达到历史最低价后$0.87,本月环比上涨5.52%,近-周环比上涨3.15%
此前DDR3与DR4价格出现倒挂,但价差自2022年5月后呈缩小趋势，4月起至今合约价差为0,合约价已不再倒挂。>1)合约价:过去4GbDDR4价格高于4GbDDR3,2021年12月价格打平,自2022年1月价格开始倒挂,5月价差扩大至$0.40,此后价差减小。2023年7、8月价差为0。2)现货价:2021年10月中旬,4GbDDR3与4GbDDR4价格基本打平,后开始出现倒挂,价差最大可达$0.52;2023年2月9日两者价格持平,8月31日4GbDDR4价格已高出4GbDDR3$0.01。此前DDR3与DR4价格出现倒挂,但价差自2022年5月后呈缩小趋势，4月起至今合约价差为0,合约价已不再倒挂。>1)合约价:过去4GbDDR4价格高于4GbDDR3,2021年12月价格打平,自2022年1月价格开始倒挂,5月价差扩大至$0.40,此后价差减小。2023年7、8月价差为0。2)现货价:2021年10月中旬,4GbDDR3与4GbDDR4价格基本打平,后开始出现倒挂,价差最大可达$0.52;2023年2月9日两者价格持平,8月31日4GbDDR4价格已高出4GbDDR3$0.01。此前DDR3与DR4价格出现倒挂,但价差自2022年5月后呈缩小趋势，4月起至今合约价差为0,合约价已不再倒挂。>1)合约价:过去4GbDDR4价格高于4GbDDR3,2021年12月价格打平,自2022年1月价格开始倒挂,5月价差扩大至$0.40,此后价差减小。2023年7、8月价差为0。2)现货价:2021年10月中旬,4GbDDR3与4GbDDR4价格基本打平,后开始出现倒挂,价差最大可达$0.52;2023年2月9日两者价格持平,8月31日4GbDDR4价格已高出4GbDDR3$0.01。
1)NAND分类:根据结构,NAND分为2DNAND.3DNAND,根据颗粒类型,NAND分为SLC/MLC/TLC/QLC,SLC每单元存储1bit数据、MLC的存储2个bit.TLC的存储3个bit、QLC的存储4个bito>2)2D到3D大势所趋:2D在平面上对晶体管尺寸进行微缩,从而获得更高的存储密度,但体管尺寸微缩遇到物理极限,现已面临瓶颈,达到发展极限。为了在维持性能的情况下实现容量提升,3DNAND成为发展主流。2019年,3DNAND的渗透率为72.6%,已远超2DNAND,且未来仍将持续提高,预计2025年3DNAND将占闪存总市场的97.5%。3)TLC.QLC为市场主流:目前TLC.QLC是NAND的主流产品,合计占95%的份额,根据Gartner数据,2019年SLCNAND市场16.7亿+美金,占NAND市场的3%-4%左右。
>1)NAND分成利基与主流:SLCNAND.MLC/TLCNAND2)SLCNAND是大陆设计公司发力点:根据Gartner数据统计,2019年SLCNAND全球市场16.7亿美元,在原有刚性需求的支撑和下游不断出现的新兴应用领域,2021年市场预计达到21.4亿美元,占NAND市场的3%-4%;台系厂商华邦、旺宏占据SLCNAND的主要份额,目前大陆如兆易创新、东芯股份、北京君正均发力SLCNAND,长江存储做主流NAND>1)NAND分成利基与主流:SLCNAND.MLC/TLCNAND2)SLCNAND是大陆设计公司发力点:根据Gartner数据统计,2019年SLCNAND全球市场16.7亿美元,在原有刚性需求的支撑和下游不断出现的新兴应用领域,2021年市场预计达到21.4亿美元,占NAND市场的3%-4%;台系厂商华邦、旺宏占据SLCNAND的主要份额,目前大陆如兆易创新、东芯股份、北京君正均发力SLCNAND,长江存储做主流NAND
主流合约价连续四个月持续止跌,同比跌幅收窄,利基合约价中SLC1Gb近几月首次上涨,其余皆持续四个月止跌。>1)主流NAND:8月MLCNAND环比跌幅为0%,同比跌幅11%-14%,9月环比跌幅皆为0%,同比跌幅10%-11%.2)利基NAND:8月SLCNAND环比跌幅为0%,同比跌幅0%-5%,9月SLC1Gb(128M)首次上涨,环比上涨1.04%,同比跌幅2.%,其余环比跌幅0%,同比跌幅0-5%
9月主流NANDWafer现货价大涨1%-15%,主流NAND颗粒上涨0%-1%,利基现货价变化-1%-+2%。>1)主流NAND:9月主流NANDWafer现货价大涨1%-15%,其中1TbTLCwafer上涨15%;主流NAND颗粒涨幅0-1%>2)利基NAND:8月现货价跌幅0.7%-4.8%,9月SLC8Gb5SLC1Gb现货价近期首次上涨,上涨2%左右,其余型号现货价跌幅-1.2%~0.2%，涨跌互现、整体稳定。9月主流NANDWafer现货价大涨1%-15%,主流NAND颗粒上涨0%-1%,利基现货价变化-1%-+2%。>1)主流NAND:9月主流NANDWafer现货价大涨1%-15%,其中1TbTLCwafer上涨15%;主流NAND颗粒涨幅0-1%>2)利基NAND:8月现货价跌幅0.7%-4.8%,9月SLC8Gb5SLC1Gb现货价近期首次上涨,上涨2%左右,其余型号现货价跌幅-1.2%~0.2%，涨跌互现、整体稳定。
MLCNAND:9月合约价持续止跌,现货价全部上涨0-1%.1)合约价:9月,MLC128Gb(16Gx8)的合约价为$3.82,同比-11.16%,环比0%,价格止跌:9月,MLC64Gb(8Gx8)的合约价为$2.76,同比-10.97%,环比无变化;9月,MLC32Gb(4Gx8)的合约价为$2.43,同比-9.67%,环比0%。>2)现货价:截至9月30日,MLC256Gb(32GBx8)现货价为$11.40,近-月上涨1.29%,近-周上涨0.49%;MLC128Gb(16GBx8)的现货价为$6.37,近一月上涨0.98%,近一周涨幅0.66%;MLC64Gb(8GBx8)的现货价为$3.87,近一月上涨0.18%,近一周跌幅-0.08%;MLC32Gb(4GBx8)的现货价为$2.06,近一月无变化,近一周无变化。MLCNAND:9月合约价持续止跌,现货价全部上涨0-1%.1)合约价:9月,MLC128Gb(16Gx8)的合约价为$3.82,同比-11.16%,环比0%,价格止跌:9月,MLC64Gb(8Gx8)的合约价为$2.76,同比-10.97%,环比无变化;9月,MLC32Gb(4Gx8)的合约价为$2.43,同比-9.67%,环比0%。>2)现货价:截至9月30日,MLC256Gb(32GBx8)现货价为$11.40,近-月上涨1.29%,近-周上涨0.49%;MLC128Gb(16GBx8)的现货价为$6.37,近一月上涨0.98%,近一周涨幅0.66%;MLC64Gb(8GBx8)的现货价为$3.87,近一月上涨0.18%,近一周跌幅-0.08%;MLC32Gb(4GBx8)的现货价为$2.06,近一月无变化,近一周无变化。
现货:截至9月30日,TLC1Tb的现货价为$3.53,近一月上涨14.98%,近一周上涨3.82%,8月月内涨幅7.39%;9月30日,512GbTLC的现货价为$1.76,近一月上涨10.69%,近一周上涨4.14%,8月月内上涨9.72%;9月30日,256GbTLC的现货价为$1.08,近一月上涨11.34%,近一周价格上涨3.85%,8月月内上涨4.3%;9月30日,128GbTLC的现货价为$1.08,近一月上涨0.93%,近-周价格上涨0.93%,8月月内Е涨0.94%,
SLCNAND:9月SLC1Gb合约价近几月首次上涨,9月SLC8Gb与SLC1Gb现货价近期首次上涨,其余型号现货价跌幅明显收窄0%-1%。(1)合:9月,SLC32Gb(4Gx8)的合约价为$11.83,同比不变,为0%,连续14个月价格不变;SLC16Gb(2Gx8)的合约价为$6.16,同比不变0%,连续14个月价格不变;SLC8Gb(1024Mx8)的合约价为$3.08,同比-3.14%,连续14个月价格不变;SLC4Gb(512Mx8)的合约价为$1.68,同比-2.33%,连续7个月价格不变;SLC2Gb(256Mx8)的合约价为$1.19,同比-4.8%,连续5个月价格不变;SLC1Gb(128Mx8)的合约价为$0.97,继六个月价格不变后,9月首次上涨,环比上涨1.04%,同比-2.02%(2)现货价:截至9月30日,SLC16Gb(2GBx8)的现货价为$7.48,近一月下跌0.19%,近一周下跌0.05%;SLC8Gb(1GBx8)的现货价为$2.78,近期内首次上涨,环比上涨1.94%,近一周上涨0.83%;SLC4Gb(512MBx8)的现货价为$1.31,近一月下跌0.45%,近一周下降0.45%;SLC2Gb(256MBx8)的现货价为$0.77,近一月下跌1.15%,近一周上涨0.13%;SLC1Gb(128MBx8)的现货价为$0.81,近期首次上涨,环比上涨1.50%,近一周上涨1.50%。
媒:侠WD合并案预计本月达成协议据媒体报道,存储厂商铠侠与WD的合并被曝已经进入最终阶段,有望在本月内达成合并协议,且合并后将在美国那斯达克上市,而新公司董事会将由铠侠端掌控过半数。https://mp.weixin.qq.com/s/g9TOFTGD4of6p108VgQEEASK海力士开发出全球最高规格HBM3E:已向客户提供样品验证,计划2024H1量产>SK海力士宣布,成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E,并开始向客户提供样品进行性能验证。新产品在速度方面,最高每秒可以处理1.15TB的数据,相当于在1秒内可处理230部全高清(FHD)级别的电影(5GB)。>https://bajiahao.baidu.com/s?id=1774810102746926596&wfr-spider&for=pC三星电子计划明年初量产第9NAND>据韩媒报道,三星电子宣布正在开发11nmmDRAM和第9代NAND闪存,并计划明年初量产第9代NAND。第9代NAND很可能是一个非常高层的堆栈,大约有300层。预计每晶圆的bit集成度将提高,数据输入/输出速度将比第8代更快。>https://mp.weixin.qq.com/s/LB5HmtNTQxATj8D2FgSaPg韩国:三星、SK海力士中国工厂获得美国无限期许可,无需单独批准即可获取芯片制造设备>据韩联社,韩国总统办公室周一宣布,美国政府决定无限期延长对三星电子和SK海力士公司在华工厂进口美国芯片设备的豁免期限。因此,在无需单独批准的情况下,三星电子和SK海力土可以任意向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。>https://www.ithome.com/0/723/719.htm媒:侠WD合并案预计本月达成协议据媒体报道,存储厂商铠侠与WD的合并被曝已经进入最终阶段,有望在本月内达成合并协议,且合并后将在美国那斯达克上市,而新公司董事会将由铠侠端掌控过半数。https://mp.weixin.qq.com/s/g9TOFTGD4of6p108VgQEEASK海力士开发出全球最高规格HBM3E:已向客户提供样品验证,计划2024H1量产>SK海力士宣布,成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E,并开始向客户提供样品进行性能验证。新产品在速度方面,最高每秒可以处理1.15TB的数据,相当于在1秒内可处理230部全高清(FHD)级别的电影(5GB)。>https://bajiahao.baidu.com/s?id=1774810102746926596&wfr-spider&for=pC三星电子计划明年初量产第9NAND>据韩媒报道,三星电子宣布正在开发11nmmDRAM和第9代NAND闪存,并计划明年初量产第9代NAND。第9代NAND很可能是一个非常高层的堆栈,大约有300层。预计每晶圆的bit集成度将提高,数据输入/输出速度将比第8代更快。>https://mp.weixin.qq.com/s/LB5HmtNTQxATj8D2FgSaPg韩国:三星、SK海力士中国工厂获得美国无限期许可,无需单独批准即可获取芯片制造设备>据韩联社,韩国总统办公室周一宣布,美国政府决定无限期延长对三星电子和SK海力士公司在华工厂进口美国芯片设备的豁免期限。因此,在无需单独批准的情况下,三星电子和SK海力土可以任意向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。>https://www.ithome.com/0/723/719.htm媒:侠WD合并案预计本月达成协议据媒体报道,存储厂商铠侠与WD的合并被曝已经进入最终阶段,有望在本月内达成合并协议,且合并后将在美国那斯达克上市,而新公司董事会将由铠侠端掌控过半数。https://mp.weixin.qq.com/s/g9TOFTGD4of6p108VgQEEASK海力士开发出全球最高规格HBM3E:已向客户提供样品验证,计划2024H1量产>SK海力士宣布,成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E,并开始向客户提供样品进行性能验证。新产品在速度方面,最高每秒可以处理1.15TB的数据,相当于在1秒内可处理230部全高清(FHD)级别的电影(5GB)。>https://bajiahao.baidu.com/s?id=1774810102746926596&wfr-spider&for=pC三星电子计划明年初量产第9NAND>据韩媒报道,三星电子宣布正在开发11nmmDRAM和第9代NAND闪存,并计划明年初量产第9代NAND。第9代NAND很可能是一个非常高层的堆栈,大约有300层。预计每晶圆的bit集成度将提高,数据输入/输出速度将比第8代更快。>https://mp.weixin.qq.com/s/LB5HmtNTQxATj8D2FgSaPg韩国:三星、SK海力士中国工厂获得美国无限期许可,无需单独批准即可获取芯片制造设备>据韩联社,韩国总统办公室周一宣布,美国政府决定无限期延长对三星电子和SK海力士公司在华工厂进口美国芯片设备的豁免期限。因此,在无需单独批准的情况下,三星电子和SK海力土可以任意向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。>https://www.ithome.com/0/723/719.htm媒:侠WD合并案预计本月达成协议据媒体报道,存储厂商铠侠与WD的合并被曝已经进入最终阶段,有望在本月内达成合并协议,且合并后将在美国那斯达克上市,而新公司董事会将由铠侠端掌控过半数。https://mp.weixin.qq.com/s/g9TOFTGD4of6p108VgQEEASK海力士开发出全球最高规格HBM3E:已向客户提供样品验证,计划2024H1量产>SK海力士宣布,成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E,并开始向客户提供样品进行性能验证。新产品在速度方面,最高每秒可以处理1.15TB的数据,相当于在1秒内可处理230部全高清(FHD)级别的电影(5GB)。>https://bajiahao.baidu.com/s?id=1774810102746926596&wfr-spider&for=pC三星电子计划明年初量产第9NAND>据韩媒报道,三星电子宣布正在开发11nmmDRAM和第9代NAND闪存,并计划明年初量产第9代NAND。第9代NAND很可能是一个非常高层的堆栈,大约有300层。预计每晶圆的bit集成度将提高,数据输入/输出速度将比第8代更快。>https://mp.weixin.qq.com/s/LB5HmtNTQxATj8D2FgSaPg韩国:三星、SK海力士中国工厂获得美国无限期许可,无需单独批准即可获取芯片制造设备>据韩联社,韩国总统办公室周一宣布,美国政府决定无限期延长对三星电子和SK海力士公司在华工厂进口美国芯片设备的豁免期限。因此,在无需单独批准的情况下,三星电子和SK海力土可以任意向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。>https://www.ithome.com/0/723/719.htm媒:侠WD合并案预计本月达成协议据媒体报道,存储厂商铠侠与WD的合并被曝已经进入最终阶段,有望在本月内达成合并协议,且合并后将在美国那斯达克上市,而新公司董事会将由铠侠端掌控过半数。https://mp.weixin.qq.com/s/g9TOFTGD4of6p108VgQEEASK海力士开发出全球最高规格HBM3E:已向客户提供样品验证,计划2024H1量产>SK海力士宣布,成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E,并开始向客户提供样品进行性能验证。新产品在速度方面,最高每秒可以处理1.15TB的数据,相当于在1秒内可处理230部全高清(FHD)级别的电影(5GB)。>https://bajiahao.baidu.com/s?id=1774810102746926596&wfr-spider&for=pC三星电子计划明年初量产第9NAND>据韩媒报道,三星电子宣布正在开发11nmmDRAM和第9代NAND闪存,并计划明年初量产第9代NAND。第9代NAND很可能是一个非常高层的堆栈,大约有300层。预计每晶圆的bit集成度将提高,数据输入/输出速度将比第8代更快。>https://mp.weixin.qq.com/s/LB5HmtNTQxATj8D2FgSaPg韩国:三星、SK海力士中国工厂获得美国无限期许可,无需单独批准即可获取芯片制造设备>据韩联社,韩国总统办公室周一宣布,美国政府决定无限期延长对三星电子和SK海力士公司在华工厂进口美国芯片设备的豁免期限。因此,在无需单独批准的情况下,三星电子和SK海力土可以任意向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。>https://www.ithome.com/0/723/719.htm媒:侠WD合并案预计本月达成协议据媒体报道,存储厂商铠侠与WD的合并被曝已经进入最终阶段,有望在本月内达成合并协议,且合并后将在美国那斯达克上市,而新公司董事会将由铠侠端掌控过半数。https://mp.weixin.qq.com/s/g9TOFTGD4of6p108VgQEEASK海力士开发出全球最高规格HBM3E:已向客户提供样品验证,计划2024H1量产>SK海力士宣布,成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E,并开始向客户提供样品进行性能验证。新产品在速度方面,最高每秒可以处理1.15TB的数据,相当于在1秒内可处理230部全高清(FHD)级别的电影(5GB)。>https://bajiahao.baidu.com/s?id=1774810102746926596&wfr-spider&for=pC三星电子计划明年初量产第9NAND>据韩媒报道,三星电子宣布正在开发11nmmDRAM和第9代NAND闪存,并计划明年初量产第9代NAND。第9代NAND很可能是一个非常高层的堆栈,大约有300层。预计每晶圆的bit集成度将提高,数据输入/输出速度将比第8代更快。>https://mp.weixin.qq.com/s/LB5HmtNTQxATj8D2FgSaPg韩国:三星、SK海力士中国工厂获得美国无限期许可,无需单独批准即可获取芯片制造设备>据韩联社,韩国总统办公室周一宣布,美国政府决定无限期延长对三星电子和SK海力士公司在华工厂进口美国芯片设备的豁免期限。因此,在无需单独批准的情况下,三星电子和SK海力土可以任意向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。>https://www.ithome.com/0/723/719.htm媒:侠WD合并案预计本月达成协议据媒体报道,存储厂商铠侠与WD的合并被曝已经进入最终阶段,有望在本月内达成合并协议,且合并后将在美国那斯达克上市,而新公司董事会将由铠侠端掌控过半数。https://mp.weixin.qq.com/s/g9TOFTGD4of6p108VgQEEASK海力士开发出全球最高规格HBM3E:已向客户提供样品验证,计划2024H1量产>SK海力士宣布,成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E,并开始向客户提供样品进行性能验证。新产品在速度方面,最高每秒可以处理1.15TB的数据,相当于在1秒内可处理230部全高清(FHD)级别的电影(5GB)。>https://bajiahao.baidu.com/s?id=1774810102746926596&wfr-spider&for=pC三星电子计划明年初量产第9NAND>据韩媒报道,三星电子宣布正在开发11nmmDRAM和第9代NAND闪存,并计划明年初量产第9代NAND。第9代NAND很可能是一个非常高层的堆栈,大约有300层。预计每晶圆的bit集成度将提高,数据输入/输出速度将比第8代更快。>https://mp.weixin.qq.com/s/LB5HmtNTQxATj8D2FgSaPg韩国:三星、SK海力士中国工厂获得美国无限期许可,无需单独批准即可获取芯片制造设备>据韩联社,韩国总统办公室周一宣布,美国政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兆易创新:参与投资私募股权投资基金1)投资标的名称:盈富泰克(北京)科技创新股权投资基金(有限合伙)。2)金额:公司作为有限合伙人以现金方式认缴出资人民币5000万元,约占基金本次募集完成后认缴出资总额的9.43%。江波龙:全资子公司购买苏州力成70%股权交割完成>收购苏州力成70%股权,已于2023年10月1日正式完成交割,并于即日起纳入公司合并报表范围,且已将其更名为“元成科技(苏州)有限公司”兆易创新:参与投资私募股权投资基金1)投资标的名称:盈富泰克(北京)科技创新股权投资基金(有限合伙)。2)金额:公司作为有限合伙人以现金方式认缴出资人民币5000万元,约占基金本次募集完成后认缴出资总额的9.43%。江波龙:全资子公司购买苏州力成70%股权交割完成>收购苏州力成70%股权,已于2023年10月1日正式完成交割,并于即日起纳入公司合并报表范围,且已将其更名为“元成科技(苏州)有限公司”兆易创新:参与投资私募股权投资基金1)投资标的名称:盈富泰克(北京)科技创新股权投资基金(有限合伙)。2)金额:公司作为有限合伙人以现金方式认缴出资人民币5000万元,约占基金本次募集完成后认缴出资总额的9.43%。江波龙:全资子公司购买苏州力成70%股权交割完成>收购苏州力成70%股权,已于2023年10月1日正式完成交割,并于即日起纳入公司合并报表范围,且已将其更名为“元成科技(苏州)有限公司”
存储股价&估值&盈利大弹性,复苏量价齐升逻辑最佳,存储价格拐点己现,存储是板块性投资机会,建议积极关注大陆存储标的:兆易创新、东芯股份、江波龙、德明利、佰维存储、深科技、普冉股份、香农芯创、北京君正、恒烁股份、聚辰股份等。中泰证券研究所专业1领先深度1诚信来源:各公司公告,中泰证券研究所;注:百分数表示营收占比,除了普冉和博雅科技为21年营收占比外,其他均为22年营收占比;市场规模为2021年数据
下游需求不及预期:存储公司下游应用领域广泛,客户众多,若疫情反复或其他影响致使经济不及预期,可能会给公司营收不及预期的风险。产能瓶颈的束缚:存储公司新建产能进展可能受疫情等因素影响,产能释放不及预期,进而影响公司业绩。大陆厂商技术进步不及预期:存储产品技术难度大,若技术迭代发展不及预期会影响公司业绩。中美贸易摩擦加剧:目前大陆半导体产业链未实现完全去美国化,存储设计公司使用的软件工具、下游代工等有被制程的风险。研报使用的信息更新不及时:研报使用信息为公开信息和调研数据,可能因为信息更新不及时产生一定影响。第三方数据库数据信息可信性风险:存储价格使用了第三方数据库,存在第三方数据库信息与实际情况有偏差的风险。公开法会内容未经发言人确认,请审慎使用。下游需求不及预期:存储公司下游应用领域广泛,客户众多,若疫情反复或其他影响致使经济不及预期,可能会给公司营收不及预期的风险。产能瓶颈的束缚:存储公司新建产能进展可能受疫情等因素影响,产能释放不及预期,进而影响公司业绩。大陆厂商技术进步不及预期:存储产品技术难度大,若技术迭代发展不及预期会影响公司业绩。中美贸易摩擦加剧:目前大陆半导体产业链未实现完全去美国化,存储设计公司使用的软件工具、下游代工等有被制程的风险。研报使用的信息更新不及时:研报使用信息为公开信息和调研数据,可能因为信息更新不及时产生一定影响。第三方数据库数据信息可信性风险:存储价格使用了第三方数据库,存在第三方数据库信息与实际情况有偏差的风险。公开法会内容未经发言人确认,请审慎使用。下游需求不及预期:存储公司下游应用领域广泛,客户众多,若疫情反复或其他影响致使经济不及预期,可能会给公司营收不及预期的风险。产能瓶颈的束缚:存储公司新建产能进展可能受疫情等因素影响,产能释放不及预期,进而影响公司业绩。大陆厂商技术进步不及预期:存储产品技术难度大,若技术迭代发展不及预期会影响公司业绩。中美贸易摩擦加剧:目前大陆半导体产业链未实现完全去美国化,存储设计公司使用的软件工具、下游代工等有被制程的风险。研报使用的信息更新不及时:研报使用信息为公开信息和调研数据,可能因为信息更新不及时产生一定影响。第三方数据库数据信息可信性风险:存储价格使用了第三方数据库,存在第三方数据库信息与实际情况有偏差的风险。公开法会内容未经发言人确认,请审慎使用。下游需求不及预期:存储公司下游应用领域广泛,客户众多,若疫情反复或其他影响致使经济不及预期,可能会给公司营收不及预期的风险。产能瓶颈的束缚:存储公司新建产能进展可能受疫情等因素影响,产能释放不及预期,进而影响公司业绩。大陆厂商技术进步不及预期:存储产品技术难度大,若技术迭代发展不及预期会影响公司业绩。中美贸易摩擦加剧:目前大陆半导体产业链未实现完全去美国化,存储设计公司使用的软件工具、下游代工等有被制程的风险。研报使用的信息更新不及时:研报使用信息为公开信息和调研数据,可能因为信息更新不及时产生一定影响。第三方数据库数据信息可信性风险:存储价格使用了第三方数据库,存在第三方数据库信息与实际情况有偏差的风险。公开法会内容未经发言人确认,请审慎使用。下游需求不及预期:存储公司下游应用领域广泛,客户众多,若疫情反复或其他影响致使经济不及预期,可能会给公司营收不及预期的风险。产能瓶颈的束缚:存储公司新建产能进展可能受疫情等因素影响,产能释放不及预期,进而影响公司业绩。大陆厂商技术进步不及预期:存储产品技术难度大,若技术迭代发展不及预期会影响公司业绩。中美贸易摩擦加剧:目前大陆半导体产业链未实现完全去美国化,存储设计公司使用的软件工具、下游代工等有被制程的风险。研报使用的信息更新不及时:研报使用信息为公开信息和调研数据,可能因为信息更新不及时产生一定影响。第三方数据库数据信息可信性风险:存储价格使用了第三方数据库,存在第三方数据库信息与实际情况有偏差的风险。公开法会内容未经发言人确认,请审慎使用。
1)市场规模:2021年全球市场规模达到5531亿美金,同比+26%,WSTS预计2022年将继续增长,市场规模有望达6284亿美金,同比+14%,2023年市场规模达到6632亿美金,同比+6%。>2)周期性:从1980年开始,全球半导体产业历经8轮周期,从2019年开始处于第9轮周期,目前处于下行阶段,近几轮周期般持续3-4年,本次周期疫情打乱节奏,周期时间有拉长的趋势。
>规模占比:存储是半导体第二大细分市场。2021/2020/2019年全球存储市场规模为1534/1175/1064亿美金,占半导体规模的比例为28%/27%/26%,是全球第二大细分品类。>周期波动:存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致,但波动性远大于其他细分品类。
>成长性:2002-2021年、2011-2021年、2016-2021年存储CAGR分别为9.5%、9.7%、14.9%,均为半导体成长性最优细分产品,且近5年增速显著高于近十年和近二十年增速，成长性显著提升。
从细分产品看:DRAM.NAND占据主要份额,2021年占比分别为61、36%,合计占比97%。跟踪存储的景气度变化重点跟踪DRAM和INAND景气度变化。
>周期波动:DRAMNAND>Nor及其他,DRAM周期波动性大于存储平均水平,是存储细分市场中周期性波动最大细分市场。成长性:从2009-21年、2011-21年、2016-21年存储器各细分品类CAGR看,DRAMNAND)Nor及其他,DRAM成长性大于存储平均水平,且近5年增速显著高于近十年增速,成长性显著提升。-5.0%
DRAM:智能手机占比39%,是第一大市场,2021年服务器占比34%,是第二大市场,PC占比13%,萎缩明显。>NAND:2020年手机占比37%,PCSSD占比28%,企业级SSD占比18%智能手机端,出货量增速有限,单机容量提升是主要推动力。服务器端,受益人工智能、物联网和云计算等应用兴起,务器出货量及单机容量提升推动增长。
韩系、美系厂商主导，DRAM格局最为集中。CR3:DRAM94%,NAND67%.Nor64%,DRAM集中度最高,Nor集中度最低。>DRAM:2021年三星、海力士、美光三巨头合计市占率高达94%。NAND:六大厂商垄断,2021年六大厂商合计市占率高达93%。>Nor:主要被台系厂商垄断,2021年旺宏、华邦的合计市占率达52%,占半壁江山,兆易创新市占率18%,全球第三。韩系、美系厂商主导，DRAM格局最为集中。CR3:DRAM94%,NAND67%.Nor64%,DRAM集中度最高,Nor集中度最低。>DRAM:2021年三星、海力士、美光三巨头合计市占率高达94%。NAND:六大厂商垄断,2021年六大厂商合计市占率高达93%。>Nor:主要被台系厂商垄断,2021年旺宏、华邦的合计市占率达52%,占半壁江山,兆易创新市占率18%,全球第三。韩系、美系厂商主导，DRAM格局最为集中。CR3:DRAM94%,NAND67%.Nor64%,DRAM集中度最高,Nor集中度最低。>DRAM:2021年三星、海力士、美光三巨头合计市占率高达94%。NAND:六大厂商垄断,2021年六大厂商合计市占率高达93%。>Nor:主要被台系厂商垄断,2021年旺宏、华邦的合计市占率达52%,占半壁江山,兆易创新市占率18%,全球第三。
>三足鼎立:DRAM竞争格局历经洗牌,现阶段韩国三星、韩国海力士、美国美光三大寡头垄断市场,呈现“三足鼎立”之势。格局稳定:2021年三星、海力士、美光市占率依次为43%、28%、23%,合计占比超90%,自2013年美光收购尔必达后,三大商市场率合计始终位于90%以上。中泰证券研究所专业1领先深度1诚信
NAND:全球六大龙头竞争，格局稳定。NAND市场集中度不断提高。1996年全球NAND大厂现已多半退出市场,新进厂商通过技术突破占领市场份额。如今全球NAND市场被6家海外厂商垄断,六家厂商合计市占率长期稳定在95%+,格局稳定,2021年三星、铠侠、西部数据、海力士、美光、Solidigm的市场份额分别是34%、19%,14%、13%、11%、6%,CR6达到93%。
第二大市场:根据2019年数据,中国是全球第二大DRAM市场,占据34%的市场,仅次于美国的39%自给率极低：长鑫量产前，本土自给率几乎为0。引领大陆DRAM发展:长鑫是大陆首家DRAMIDM厂商,2016年在合肥成立,规划三期,产能共36万片/月。2019年19nmDDR4投产。
>第一大市场:中国是全球第一大NAND市场,占据37%的市场份额,美国占NAND市场的31%,位列第二。长存引领大陆NAND发展:大陆首家3DNANDIDM厂商,2016年成立，计划建立三个工厂，每个工厂规划产能为10万片/月,计划于2025年实现满产;2019年Q3基于Xtacking架构的64层3DNAND量产,2021年128层TLC和业界首款128层QLCNAND量产国美国欧洲日本其他
全球DRAM或Flash市场价格分为合约价和现货价,价格走势是跟踪景气变化的关键指标。合约价:ContractPrice,大客户,价格按照协议合约走,月度议价,不受期间价格波动影响,占比约90%。现货价:SpotPrice,反应当前市场供需情况,价格波动比合约价更剧烈,占比约10%。全球DRAM或Flash市场价格分为合约价和现货价,价格走势是跟踪景气变化的关键指标。合约价:ContractPrice,大客户,价格按照协议合约走,月度议价,不受期间价格波动影响,占比约90%。现货价:SpotPrice,反应当前市场供需情况,价格波动比合约价更剧烈,占比约10%。
产品不断迭代,按照市场流行程度可分为主流产品和利基产品,利基产品一般是从主流规格中退役的产品。利基产品:利基存储产品包括SLCNAND、容量小于等于4GB的MLC/TLCNAND、利基DRAM.Nor、SRAM等产品,在这些细分市场中主要是中国台湾的南亚、华邦、旺宏等厂商角逐,大陆长鑫、兆易等也是利基产品。主流产品:主流产品包括容量大于4GB的MLC/TLCNAND产品、PCDRAM.MobileDRAM.ServerDRAM,这些是主要市场,国际一流大厂三星、美光、海力士、东芝是代表厂商。产品不断迭代,按照市场流行程度可分为主流产品和利基产品,利基产品一般是从主流规格中退役的产品。利基产品:利基存储产品包括SLCNAND、容量小于等于4GB的MLC/TLCNAND、利基DRAM.Nor、SRAM等产品,在这些细分市场中主要是中国台湾的南亚、华邦、旺宏等厂商角逐,大陆长鑫、兆易等也是利基产品。主流产品:主流产品包括容量大于4GB的MLC/TLCNAND产品、PCDRAM.MobileDRAM.ServerDRAM,这些是主要市场,国际一流大厂三星、美光、海力士、东芝是代表厂商。产品不断迭代,按照市场流行程度可分为主流产品和利基产品,利基产品一般是从主流规格中退役的产品。利基产品:利基存储产品包括SLCNAND、容量小于等于4GB的MLC/TLCNAND、利基DRAM.Nor、SRAM等产品,在这些细分市场中主要是中国台湾的南亚、华邦、旺宏等厂商角逐,大陆长鑫、兆易等也是利基产品。主流产品:主流产品包括容量大于4GB的MLC/TLCNAND产品、PCDRAM.MobileDRAM.ServerDRAM,这些是主要市场,国际一流大厂三星、美光、海力士、东芝是代表厂商。
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