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1.国内功率半导体器件 IGBT 领军企业


1.1.公司概况


(1)宏微科技是国内极少数具备 IGBT、FRED 芯片及模组技术的领军企业之一。宏 微科技于 2006 年在江苏省常州市注册成立,公司致力于 IGBT、FRED 为主的功率半导体 芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案。 IGBT、FRED 单管和模块的核心是 IGBT 和 FRED 芯片,公司主营业务中的单管完全采用 自研芯片,而模块产品 60%以上采用自研芯片。公司于 2007 年成功研发出了快恢复外延 二极管(FRED)第一代芯片(M1d)F 系列,2010 年成功推出 1200V 平面栅 NPT 结构 的 IGBT 芯片(公司第一代 IGBT 产品),2017 年开始进入快速发展阶段,产品不断进行 更新迭代,截止目前,公司 IGBT 及 FRED 芯片技术已更新到第七代。


(2)公司产品已涵盖 IGBT、FRED、MOSFET 芯片及单管产品 80 余种,IGBT、 FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品 270 余种。公司的产品主要应用于工 业控制(变频器、伺服电机、电焊机、UPS 电源等),新能源发电(光伏逆变器、SVG、 APF 等)、电动汽车(电控系统和充电桩)等多元化应用领域,产品性能与工艺技术水平处 于行业先进水平。从公司战略规划来看,未来将不断提升在新能源领域布局,尤其的光伏、 新能源汽车的布局。


(3)公司的自研芯片比例不断提升。我们根据公司公告,测算出来在公司近三年的芯 片自研与采购金额中,自研芯片的比例不断提升。公司信息,目前 FRED 单管的芯片基本 上全部自研,而 IGBT 模块的芯片还有一部分外购,主要是客户需求,其次也是部分采购 的模组零部件中有部分芯片是直接集成在零组件中。随着公司的自研芯片能力不断提升, 未来自研芯片比例还有提升空间,公司的长期毛利率或将得到提升。


(4)公司凭借可靠的产品质量和优质的服务与众多知名企业客户保持了良好的商业合 作关系,同时依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。其一,在工业控 制领域,公司主要客户有台达集团、汇川技术、英威腾等多家变频器行业知名企业。其二, 在新能源发电领域,公司主要客户有 A 公司等知名企业,市场份额不断扩大。其三,在电 动汽车领域,公司产品主要用于电控系统和空调系统,主要客户有比亚迪、汇川、臻驱科技等多家知名企业。充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞、优优绿能、特来电等知名 企业。


(5)公司核心代工商华虹与华润华晶的合作在不断加深。公司规模不断增长,但核心供应商的采购金额占比还在不断上升,这也说明公司与 供应商的合作不断加深,有助于公司长期产能的保证以及议价能力提升。


(6)宏微科技实控人长期从事功率半导体领域的研究,为国家级特聘专员、“国务院 突出贡献专家特殊津贴”获得者。创始人赵善麟博士持有 17.79%的股份为公司实控人,同 时担任公司董事长兼总经理。赵善麟师从著名半导体专业高鼎三院士,曾获国家发明奖 1 项,发表学术论文 30 余篇,出版专著 2 部,曾任职北京电力电子中心常务副主任、香港科 技大学研究员、美国 Advanced Power Technology, Inc 资深高级工程师、技术转移部总监, 是半导体领域的高精尖人才及专家。宏微科技的全资子公司江苏宏电节能通过采购公司生 产的电源模组产品,向客户提供电力节能服务;同时公司也参控股无锡正海锦泰和常州创 汇芯驱这两家股权投资合伙企业,间接控制了常州极束半导体。


1.2.业绩表现


(1)公司业绩持续攀升,营收和归母净利润保持高速增长。在双碳政策与国产替代趋 势推动下,2018 至 2022 年,公司营收复合增长率达 37.05%,归母净利润的复合增速为 79.52%。2022 年营收为 9.26 亿元,同比增速达 68.18%,归母净利润为 7821 万元,同比 为 14.35%;2023 年上半年公司实现营收 7.64 亿元,同比增长 129.70%;归母净利润为 6252 万元,同比增长 93.90%。公司业绩高速增长主要两方面原因,其一是受益于下游应 用领域如新能源发电、电动汽车等行业持续景气,市场对国产 IGBT、FRED 功率半导体器 件的需求快速增长,公司不断优化产品结构,其中光伏与新能源车领域业务订单大幅增长, 公司从 21 年进入快速增长期。其二是目前公司产品国产化率较低,在 2021 年全球缺芯的 契机下,国产芯片成功大规模打入下游客户供应链,公司作为国内 IGBT 的头部企业之一, 很快在下游客户开拓上打开市场。


(2)主营业务构成来看,模块业务占据收入来源的主要地位。2022 年公司营收中模 块和单管占比分别为 60.04%和 36.00%,2023 年上半年度公司模块业务收入 4.43 亿元, 占营业收入的 57.98%,单管业务收入 2.88 亿元,占营业收入的 37.73%,从毛利率来看, 2022 年模块、单管、芯片毛利率分别为 19.49%、21.95%、15.40%。


(3)公司毛利率呈平稳态势,未来随着公司规模增长,产品溢价空间更高,同时代工 成本有望降低,毛利率有进一步提升空间。公司目前的产品价格相对国际大厂来说具备较 高的性价比,未来随着客户订单规模的扩张,公司品牌效应增强,产品溢价空间或将更大; 同时,公司的代工价格随着规模增长,有望在供应商获得更高议价能力,公司毛利率长期 或有一定上升空间。同时,公司近些年快速发展,自研芯片的比例不断提升,这也增加了 公司的毛利率水平。


2.IGBT 行业高增长与国产化双红利


2.1.IGBT 是电子电力行业的“CPU”


(1)功率半导体的两大功能是开关与电能转换,主要可以依据工作频率与功率大小将 功率半导体分为不同类型,IGBT 属于功率半导体的一种。生活中所有的电子产品都是通过 电流、电压、频率等与电相关的核心指标来实现各种功能,如何自动化管理这些繁杂多变 的电信号,功率半导体就应运而生。功率 IC 一般是指用在小电流、低电压的芯片,而功率 器件是一种支持高电压和大电流的半导体元件。功率器件通过调节改变电子元器件的功率 来实现电源开关和电能转换的功能,主要体现在变频、整流、变压、开关等方面。其应用 范围广泛,包括工控、风电、光伏、电动汽车与充电桩、轨交、消费电子等领域。IGBT 属 于其中偏向高电压、中低频率应用场景的一类产品。


(2)功率半导体根据集成度可以分为分立器件中的功率器件和集成电路 IC 中的功率 IC 两个大类。半导体产品的分类是一个十分复杂困难的过程,国际上多种分类方法都不可 能完美区分出来各种产品种类与规模,目前较多采用 WSTS(世界半导体贸易协会)的分 类方法。功率半导体是包含了功率器件与功率 IC 两大类,功率 IC 相对来说集成芯片的小功率、小电压产品,功率 IC 集成度较高,是指将高压功率器件 与其控制电路、外围接口电路及保护电路等集成在同一芯片的集成电路,主要应用于手机 等小电压产品。功率器件包括二极管、晶体管和晶闸管三大类,其中晶体管市场规模最大, 晶体管又细分为 IGBT、MOSFET、双极型晶体管等。功率器件是指体积较大,用来处理 较大功率、大电压的产品,IGBT 属于功率器件的一类产品。


(3)功率器件主要包括二极管、MOSFET、IGBT 等产品,功率 IC 主要就是集成电 路,他们在各自的应用特征上有所区别。将功率半导体再细分后有以下几个 分类,每一类产品的特征有所不同,其中在电压大小、驱动方式上差异最为显著,应用在 不同产品上也差异较大。


(4)IGBT 是功率半导体中的核心器件,兼具 MOSFET 及 BJT 两类器件优势,驱动 功率小而饱和压降低。IGBT 全称为绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管(BJT)和绝 缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。金氧半场效晶体 管(MOSFET)输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快;而双极型三极管(BJT)饱和压 降低、电流密度高、导通压降低,因此 IGBT 兼有以上两种器件的优点,性能优势显著。


(5)IGBT 通常应用形式是模块或者单管,内部的核心组件就是 IGBT 芯片。 IGBT 模块型号为:FF1400R17IP4,模块的长宽高为:25cmx8.9cmx3.8cm,模块 内部包含两个 IGBT 模组,也就是我们常说的半桥模块。IGBT 模块内部主要包含 3 个部件, 散热基板、DBC(Direct Bonding Copper-直接覆铜陶瓷板)基板和硅芯片(包含 IGBT 芯 片和 Diode 芯片),其余的主要是焊料层和互连导线,用途是将 IGBT 芯片、Diode 芯片、 功率端子、控制端子以及 DBC 连接起来。DBC 的主要功能需要保证硅芯片和散热基板之 间的电气绝缘能力以及良好的导热能力,同时还要满足一定的电流传输能力。DBC 基板类 似 2 层 PCB 电路板, DBC 常用的陶瓷绝缘材料为氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)。


(6)IGBT 产品的技术路径在于不断降低导通损耗、降低开关损耗、提升安全工作区 这样三个相互矛盾的方面来进行。IGBT 产品作为一个商业化的产品,长期目标是不断提升 性能,同时不断降低成本。能够评价 IGBT 性能的指标有很多个,比较关键指标有三个, 其一是降低开关损耗,是指在满足高频率的开关功能条件下,提升转换能量效率;其二是 导通损耗,是指电路导通后降低热损耗,提升电能转换效率;其三是提升安全工作区,是 指尽可能保证器件在更大的温度、电压、电流范围内稳定工作。除了以上三个核心维度之 外,提升电流密度、提高阻断电压、提高结温、减少耗材等性能指标也很重要。通常来说, 各个产品性能指标之间是相互矛盾的,同时提升所有性能指标是理想的目的,长期来看是可以实现这一过程的,但短期设计过程往往需要根据下游应用侧重考虑某些重要指标。 IGBT 经过 30 余年的不断发展,整体性能不断提升,核心指标来看,功率密度已经提高了 3 倍,能耗不断降低只有刚开始的 1/3,IGBT 的新技术依然在不断迭代中。


(7)IGBT 芯片随着每一代产品的升级,各项性能指标均有提升,考虑成本后,当前 性价比较高、应用广泛的是第四代产品。全球 IGBT 龙头企业英飞凌历史以 来诞生了七代不同的产品,每一代产品在结构上有较大的差异,在关键性能指标上也都有 较大的提升,相对来说越是先进的产品,性能效果越高,能够将产品研发到第几代技术, 某种程度上也说明了企业在绝对技术上的研发实力。如果考虑到成本等因素,IGBT 目前性 价比较高的产品属于第四代产品。


2.2.新能源助力 IGBT 规模高速增长


2.2.1.新能源车高增长带动国内 IGBT 复合增速在 50%以上


(1)2020 年全球 IGBT 总规模约 54 亿美元,预计到 2026 年达到 84 亿美元, CAGR 约为 7.5%,新能源汽车成高增长下游应用,6 年 CAGR 约为 22.26%。2026 年全球 IGBT 市场规模将达到 84 亿美元,2020-2026 年 CAGR 达到 7.50%,下游应用领域中规模占比最大的前三大领域为工业控制、家电以及新能源汽车, 其中工业控制规模将达到 23 亿美元,占比为 27.38%,仍占据其最大应用领域;新能源汽车领域的规模增长速度最快,将达到 17 亿美元的规模,占比从 9%提高至 20%,6 年复合 增速为 22.26%。


(2)IGBT 是电动汽车和直流充电桩等设备的核心器件,直接影响电动汽车的动力释 放速度,车辆加速能力和高速度,相对来说汽车芯片认证周期高达 3-5 年。IGBT 主要作用 于电动车汽车电动控制系统、车载空调控制系统、充电桩。对于电动控制系统,作用于大 功率直流/交流(DC/AC)逆变后汽车电机的驱动;对于车载空调控制系统,作用于小功率直 流/交流(DC/AC)的逆变;对于充电桩,在智能充电桩中被作为开关元件使用。IGBT 模块占 电动汽车成本将近 10%,占充电桩成本约 20%。汽车 IGBT 的技术认证标准极高,IGBT 要进入到汽车供应商行列,需要满足新汽车级标准 LV324/AQG324 的要求,同时还要满足 中国 IGBT 联盟和中关村宽禁带联盟等团体标准。认证指标中主要体现在温度冲击、功率 循环、温度循环、结温等与全生命周期可靠性。最后,汽车 IGBT 还要通过终端汽车客户 的认证,一般来说,认证周期在 3-5 年。


(3)我国新能源车快速发展,带动国内 IGBT 需求复合增速在 50%以上。根据集微 咨询数据,新能源汽车作为国内 IGBT 最大的应用领域,其市场规模 2024 年将跨越 200 亿 元大关,2025 年有望达到 226 亿元,2020-2025 年 CAGR 为 55.63%,其市场规模增长幅 度最大。


2.2.2.新能源发电+储能前景广阔驱动 IGBT 增长


(1)IGBT 是光伏逆变器的“心脏”,在光伏领域中市场需求提速较快。IGBT 等功率 器件作为光伏逆变器、风电变流器及储能变流器的核心半导体部件,对电能起到整流、逆 变等作用,以实现新能源发电的交流并网、储能电池的充放电等功能。其中光伏逆变器是 最主要的应用场景,光伏 IGBT 对于可靠性的要求非常高,新能源发电输出的电能需要通 过光伏逆变器将整流后的直流电逆变为符合电网要求的交流电后输入电网,这种线路需要 将 IGBT 模块性能的可用性实现最大化以保持电网的稳定性。


(2)风光储 IGBT 国内市场规模将从 2020 年的 16.6 亿元逐步增长至 2025 年的 45 亿元,复合增速达 22.07%。光伏逆变器原材料主要由机构件、电感、半导体器件等构成, 半导体器件和集成电路材料主要为 IGBT 元器件、IC 半导体,其中以 IGBT 为主的半导体 器件占逆变器成本约 11.8%左右。在碳中和背景下,光伏和风力等新能源的应用已成为指向标,中国光伏发电装机容量趋势保持逐年上升态势,根据中商产业研究院数据,2022 年 1-10 月份光伏装机容量达到 36444 万千瓦,随着光伏装机量的持续增长,对 IGBT 的需求 也迅速攀升。逆变器中 IGBT 等电子元器件使用年限一般为 10 年-15 年,而光伏组件的运 营周期是 25 年,所以逆变器在光伏组件的生命周期内至少需要更换一次,这也进一步扩大 了 IGBT 在光伏系统中的使用量。根据集微咨询预测,风光储 IGBT 国内市场规模将从 2020 年的 16.6 亿元逐步增长至 2025 年的 45 亿元,复合增速达 22.07%。


2.2.3.工业控制领域维稳支撑 IGBT 行业需求


(1)IGBT 在工业控制领域的应用范围较大,主要是在变频器、UPS 电源以及逆变焊 机等设备的使用。变频器依靠内部 IGBT 的开关来调整输出电源的电压和频率,根据电机 的实际需要来提供其所需要的电源电压,进而达到节能、调速的目的,变频器产业的快速 发展势必导致 IGBT 需求提升。逆变焊机的工作原理主要是通过将低频交流电经过整流滤 波变成直流,再通过 IGBT 将直流逆变成千赫兹到万赫兹的中频交流电,同时经变压器降 至适合于焊接的几十伏电压,再次整流并经过滤波输出平稳的直流电,进行焊接工作。 UPS 即不间断电源(Uninterruptible Power Supply),是一种含有储能装置的不间断电源, 主要用于给部分对电源稳定性要求较高的设备,提供不间断的电源。在 UPS 电源内部有整 流器与逆变器,进行电能转换过程需要用到 IGBT。


(2)2022 年工业控制用 IGBT 规模高达,中长期或将保持小幅增长。根据集微咨询 预测,工业控制用 IGBT 市场规模逐年稳定低速增长,2025 年有望达到 99 亿元的市场规 模,是下游市场最稳健的应用领域。工业控制属于相对成熟的市场,变频器、逆变焊机、 UPS 电源都是高度成熟的产品,如果没有像新能源革命一样的巨大创新,我国工业控制行 业保持稳健增长,从而对 IGBT 模块的需求量也保持相对稳健。


2.2.4.家电智能化催生 IGBT 模块增长


(1)白色家电中实现电能转换均需要功率半导体,其中变频家电中智能模块(IPM) 主要会用到 IGBT。智能功率模块(IPM)是 Intelligent Power Module 的缩写,是一种先进的 功率开关器件,具有 GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点,以及 MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。


(2)全球家电类 IGBT 模块价值量 2020 年预计为 13 亿美元,到 2026 年预计为 20 亿美元。根据 yole 数据,全球的家电应用类 IGBT 规模保持较稳健增长,家电类的 IGBT 模块相对中低端,价值量相对较低,根据市场信息,家电类的 IPM 模块均价预计在 25 元 左右。我国家电生产量占据全球较高比例,空调、冰箱、洗衣机分别占据全球比例为 80%、 60%、44%左右,我国家电用 IGBT 占据全球一半以上。


2.3.IGBT 长期海外龙头寡头垄断


(1)IGBT 的核心生产过程也包括芯片设计、晶圆制造、封测与模块设计三个主要部 分,与其他半导体不同的是,在封测与模块上 IGBT 的技术壁垒极高并且拥有较高的毛利 率。一般来说,所有的半导体核心工艺都有芯片设计、晶圆代工、封装测试三个环节,相 对来说芯片设计的附加值极高。但是,对于 IGBT 企业来说,IGBT 封测与模块是一个技术 壁垒极高的工作,在高电压、大功率的环境下,需要解决很多功能损耗、高温度范围、高 压高流等诸多复杂问题,某种程度上来说模块设计也是体现企业的核心价值一部分,一般 来说毛利率也相对较高。从整个 IGBT 的产业链来看,核心环节几乎都是海外企业为主, 但在每一个产业链环节,我国均有企业在积极布局。IGBT 的核心产业链中,我国有多个企 业积极参与布局,其中宏微科技在芯片设计、模块设计环节占据领军地位,属于国内极少 数具备核心技术的企业之一。


(2)全球 IGBT 市场呈现出集中度高,海外厂商英飞凌、富士电机、三菱这 TOP3 大 企业占据了超过 50%的市场份额。根据 Omdia 数据,2021 年全球 IGBT 单管市场中,中 国大陆企业只有士兰微进入前十大厂商中,占据 4%的市场份额;2021 年全球 IGBT 模块 市场中,中国大陆只有斯达半导和中车时代进入前十大厂商,分别占据 3%和 2%。国外巨 头英飞凌无论在单管还是模块都处于绝对龙头地位,而国内厂商市场份额较低,且只在某 一产品上具备核心竞争优势。


(3)国内 IGBT 产量稳步提升,国产化率长期不断上升。根据中商产业研究院预计, 2023 年中国 IGBT 产量有望快速增长达到 3624 万只,自给率也将达到 32.90%,近年来, 随着我国 IGBT 技术的不断更新迭代,国产厂商逐步突破产能受限问题,加速产能布局, 目前正处于国产替代的增长阶段。


(4)全球海外 IGBT 企业大多是全球知名的芯片企业,历史悠久,总体收入规模巨大。全球 IGBT 龙头企业均为知名芯片巨头企业,这些龙头企业营收规模都在几百亿上千亿元, 功率器件只占据业务的一部分,一方面因为功率器件规模相对有限,当企业发展到一定规 模后会通过横向发展、协同发展其他芯片赛道业务,另一方面也体现了功率器件与下游客 户绑定程度较深,具有半定制化的特征,很难形成寡头垄断格局。这也给国内企业长期发 展提供一定参考,创业期可以专注于功率器件、IGBT 业务,后期成长发展可能也需要横向 发展与协同发展来扩张企业规模。


(5)目前我国 IGBT 相关业务企业主要分布在江苏、浙江、上海、深圳等区域,单个 企业 IGBT 收入没有超过 30 亿元。整体来说,我国 IGBT 企业处于初创阶段, 全国从事 IGBT 业务的企业屈指可数,我国企业长期成长空间较大,龙头标的由于一定的 技术、客户积累,相对来说具有一定先发优势。


2.4.短期内交货周期与价格维持稳定态势


(1)全球半导体周期下行趋势下,短期 IGBT 全球价格保持相对稳定。2023 年第二 季度,海外主要 IGBT 厂商英飞凌及意法半导体交货周期和价格保持平稳态势。交付货期 方面,与第一季度相比较,英飞凌货期维持在 39-50 周,意法半导体维持 47-52 周;价格 趋势方面,英飞凌与意法半导体均环比持平。现阶段下游需求持续高景气度,而上游海外 厂商产能释放有限,助力应用新能源车与发电领域的 IGBT 市场保持向好态势。


(2)国内企业在全球规模较小,海外巨头企业的价格是国内企业产品定价的锚,短期 内国内企业产品价格预计保持稳定。由于国内企业的规模普遍偏小,在全球不具备产品定 价权,同类产品上多参考海外巨头产品的价格,在此基础上根据与客户的协商定价。全球 巨头产品的价格有所调整,国内企业价格理论上也会同方向上调整。2021 年受到全球缺芯 价格影响,国内企业的功率器件产品大幅度涨价,2022 年缺芯逐步缓解,价格企稳下降, 到目前为止,功率器件的供货周期稳定,价格相对稳定。


3.公司技术不断加码、产能积极扩张


3.1.技术迭代接近国际龙头、新能源产品不断丰富


(1)公司技术不断迭代,产品指标呈高速提升。我们通过公司公开信息,发现现阶段 公司在 IGBT 芯片领域取得的研发成果有:宏微科技第六代 IGBT 芯片,实现了多个电流电 压规格的拓展,助力了多款模块产品的迭代;第七代 IGBT 芯片实现了 25A 小批量交付, 完成了 150A、200A 的拓展,12 寸 1700V IGBT 芯片已完成开发和验证。公司的这些产品 每一次迭代,产品性能指标都有较大提升。


(2)公司部分同型号产品性能已到达行业先进水平,与国际巨头无明显差异。根据公 司公开数据,公司 IGBT 芯片的更新换代将促使 IGBT 模块同步升级,芯片作为单管和模块 的核心,其更新换代的速度也是衡量企业实力的重要因素,迄今为止,公司 IGBT 芯片已 经迭代至第七代,部分产品整体性能上接近行业先进水平。尽管公司在多产品供应能力上 与海外企业还有差距,但公司的技术进步与日俱增,追赶海外企业差距不断缩小。


(3)公司加速研发相关系列产品实现部分产品批量交付同时进军 SIC 新领域。 1)在工控领域,工控智能功率模块中 7 款产品已实现大批量供货;2)在光伏领域,定制化光伏逆变器用 IGBT 模块 3 款产品已实现大批量供货,光伏用 400A/650V 三电平定制模块开发顺利,已开始批量交付,目前产能稳定,终端表现良 好;新布局的光伏用 FRED 芯片及分立期间的研发及产业化项目中 IGBT、FRED 芯 片处于设计开发及工艺验证阶段; 3)电动汽车领域,电动汽车电机控制用国产 IGBT 模块研发项目已有 5 款产品实现大 批量供货,车用 800A/750V 双面散热模块开发顺利,通过相关车用可靠性测试及系统 测试,已开始小批量交付使用; 4)宏微科技积极布局碳化硅领域,目前还处于发展阶段。SiC 二极管研发成功并实 现小批量供货; 1 款产品处于整机客户端认证中,1 款产品处于设计开发阶段,但后 期进行封装验证的周期仍需一定时间。


3.2.研发费用不断攀升、股权激励夯实长期发展


(1)公司研发费用高速增长,长期蓄力雄厚。公司加大研发投入,2022 年研发费用 6427.80 万元,同比增长 69.60%,研发费用率为 6.94%,与上年同期相比增长 0.06pct, 2023 年上半年度研发费用达 5048.44 万元,同比增长 117.24%。2023 年上半年度研发人 员数量增加至 143 人,研发人员队伍不断扩张。研发投入的增加与核心技术人员的引进, 带动研发进度贾加快,保证产品实现“质”“量”齐飞。


(2)员工持股充分调动积极性,实现企业员工双赢局面。公司员工持股平台为常州宏 众咨询管理合伙企业(有限合伙),截止 2022 年末,公司共 44 名员工持股总计 3554.30 万 股股票,占公司总股本 25.78%。


(3)股权激励机制增强公司发展内在驱动力,业绩考核目标展现可持续发展愿景。公 司于 2022 年 6 月 20 日发布公告,确定实施 2022 年限制性股票激励计划,拟向激励对象 授予 176.56 万股限制性股票,占本激励计划草案公告时公司股本总额 13,789.0668 万股的 1.28%。首次授予限制性股票 141.25 万股,占本激励计划草案公告时公司股本总额 13,789.0668 万股的 1.02%,首次授予部分占本次授予权益总额的 80.00%;预留 35.31 万 股,占本激励计划草案公告时公司股本总额 13,789.0668 万股的 0.26%,预留部分占本次 授予权益总额的 20.00%;拟首次授予限制性股票的激励对象共计 130 人,约占公司员工 总数 497 人的 26.16%(截至 2021 年 12 月 31 日)。调整公司 6 位离职人员后,本次激励 计划首次授予的激励对象由 130 人调整为 124 人,首次授予限制性股票数量由 141.25 万 股调整为 136.97 万股,预留限制性股票数量保持不变。


3.3.可转债布局车规、产能规划高增长


(1)公司上半年可转债募资 4.3 亿元,积极布局车规产品。2023 年 8 月 10 日,宏微 科技发布向不特定对象发行可转换债券上市公告书,募集资金总额 4.3 亿元,用于募投项 目“车规级功率半导体分立器件生产研发项目(一期)”,项目建线速度较快已缩短至半年, 预计产品将在 2023 年三四季度贡献 240 万块的产能规模。目前,公司在 12 寸车规级芯片 上取得突破,2023 上半年车用 750V 12 寸芯片的顺利开发,其对应的车用模块快速上量。


(2)公司产能布局计划明确,收入增长可期。公司目前采用 fabless 的生产模式,芯 片单管委外加工,公司模块主要自己生产。公司目前有 2 个厂区:1)华山厂(老厂区): 规划产能 450 万块/年,目前是满产状态;2)新竹厂一期:规划产能 480 万块/年,2022 年产能利用率达到 20%,预计 2023 年提升至 60%,2024 年实现满产;新竹厂二期:年产 能规划 540 万块/年,2023 年预计有三条产线投入试运行,大概在 20%利用率,预计在 2024~2025 年释放大量产能。此外,子公司芯动能项目的交付产能首期规划投产 120 万块 车规产品,2023 年下半年开始投产和交付,或将成为未来公司额外产能供给点,这也是公 司业绩增长比较重要的一个驱动力。


(本文仅供参考,不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息,请参阅报告原文。)


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