SiC功率器件成本构成
数据来源:CASA《第三代半导体产业发展报告2021》,华宝证券
查看原文相关图表
- SiCMOSFET 可以改善光伏逆变器性能数据来源:天科合达招股说明书,华宝证券研究创新部2024-01-12
- 采用 SiC 二极管替代 Si 二极管有望使效率提升0.3%数据来源:《High-efficiency PVinverter with SiC》(Simon Wall等),华宝证券研究创新部2024-01-12
- 配备 SiCMOSFET 的车载 OBC 有望助力系统实现更高效率数据来源:Carbontech,华宝证券研究创新部2024-01-12
- SiC 有望在新能源车的多个子系统中得到应用数据来源:英飞凌官网,华宝证券研究创新部2024-01-12
- Si\GaN\SiC-MOSFET以及Si-IGBT对应的工作环境数据来源:英飞凌,罗姆半导体,华宝证券研究创新部2024-01-12
- 碳化硅器件应用场景市场规模预测(单位:亿美元)数据来源:Yole,华宝证券研究创新部2024-01-12
- 碳化硅器件相比硅基器件性能优越数据来源:Wolfspeed,华宝证券研究创新部2024-01-12
- 氮化镓射频器件市场规模数据来源:Yole,华宝证券研究创新部2024-01-12
- 2021年碳化硅下游市场应用构成数据来源:Yole,华宝证券研究创新部2024-01-12
- 碳化硅功率器件市场规模数据来源:Yole,华宝证券研究创新部2024-01-12
- 碳化硅晶体的堆垛次序数据来源:瀚天天成招股说明书,华宝证券研究创新部2024-01-12
- Si 功率器件成本构成数据来源:CASA《第三代半导体产业发展报告2021》,华宝证券2024-01-12
- 碳化硅材料相比硅材料具备多种优势数据来源:Rohm,瀚天天成招股说明书,华宝证券研究创新部2024-01-12
- 国产SiC二极管报价(单位:元/A)数据来源:碳化硅芯观察,华宝证券研究创新部2024-01-12
- 8 英寸衬底成本将会显著降低数据来源:Wolfspeed,华宝证券研究创新部2024-01-12
- SiCMOSFET和Si IGBT成本对比数据来源:《Si IGBT/SiCMOSFET混合器件的开关控制策略及其应用研究》(彭子舜),华宝证券研究创新部2024-01-12
- 工业级1200V20A-40A碳化硅二极管价格变化(单位:元/A)数据来源:InSmei,华宝证券研究创新部2024-01-12
图表属性
- 数据类型:其他
- 行业分类:工业制造
- 发布日期:2024-01-12
- 文件格式:PNG